硅光子技术崭露头角，英伟达研究AI芯片整合新路径

 在IEDM 2024大会上，英伟达分享了其未来人工智能（AI）芯片设计的新思路，展示了每代产品的发展方向。尽管芯片设计与封装技术持续取得突破，但面对日益复杂的任务需求，未来AI芯片或需进一步优化，以提升性能。  
根据外媒TechPowerUp报道，分析师透露英伟达在大会中提出的方案，将硅光子（SiPh）技术引入I/O组件，这一改变显著区别于传统技术，突破了铜材料特性带来的限制。  
新架构与硅光子技术的整合  
英伟达的新架构采用垂直供电和多模组设计，将硅光子I/O组件与3D垂直堆叠DRAM存储器相结合，同时集成冷却机制。每个模块包含12个硅光子I/O组件，用于实现芯片间的高速互联。单个GPU模块具备三个互联通道，每层结构包含四个GPU模块，每个GPU模块垂直连接六个DRAM存储器模块。这种堆叠设计实现了存储器与GPU模块的直接电气连接，功能类似于AMD的3D V-Cache技术。  
规模化生产与技术挑战  
大规模整合硅光子I/O组件对生产能力提出了严苛要求。英伟达计划每月生产超过百万个硅光子组件以满足需求。此外，模块堆叠的散热问题是实现这一设计的关键难题之一。为此，英伟达正在引入更先进的材料和冷却技术，同时积极探索新的解决方案。  
商业化展望  
尽管硅光子技术展现出显著潜力，但实现全面商业化仍需时日。预计这一技术将在2028至2030年之间逐步成熟并投入市场。英伟达的这一研发方向不仅推动了AI芯片设计的创新，还为高性能计算开辟了全新的可能性。