三星电子实现400层NAND Flash技术突破，预计2025年量产

三星电子在存储技术领域取得了重大进展，成功开发出400层堆叠的NAND Flash闪存技术，并计划于2025年第二季度开始量产。这一技术突破标志着三星在全球NAND Flash市场的领先地位进一步巩固，超越了已经开始量产321层堆叠NAND Flash的SK海力士。
据BusinessKorea报道，三星计划在2025年2月的国际固态电路会议（ISSCC）上发表并详细介绍其1Tb容量的400层堆叠TLC NAND Flash产品，并预计在2025年下半年正式量产。然而，有专家预测，如果进程加快，量产可能会在第二季末开始。
三星电子不仅在400层NAND Flash技术上取得突破，还计划在2025年扩大其先进存储器产品线。公司将在平泽园区安装第九代（286层堆叠）NAND Flash生产线，月产能预计为30,000至40,000片晶圆。此外，三星在中国西安的工厂也将从128层堆叠（V6）转换为236层堆叠（V8）制程。
三星的400层堆叠NAND Flash技术代表了技术上的重大进步。自2013年推出3D NAND Flash以来，三星在提升存储容量和读取速率方面取得了显著成就。目前，三星在全球NAND Flash市场的占有率为36.9%，尽管面临SK海力士的竞争压力，后者在2023年量产了238层堆叠的NAND Flash，并最近宣布将量产321层堆叠的产品。
NAND Flash市场近期受到多种因素的影响，包括消费者需求、定价趋势以及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用的兴起。数据中心对NAND Flash的需求不断增加，市场需求逐渐升温。尽管11月128Gb MLC产品的交易价格下降了29.8%，均价为2.16美元，但机构分析预测，尽管2024年第四季度NAND Flash价格可能下跌3%至8%，企业级固态硬盘（SSD）价格仍将上涨5%。
在准备量产400层堆叠TLC NAND Flash的同时，三星也在专注于优化晶圆良率。目前，NAND Flash研发阶段的良率为10%至20%，技术成功转移到生产线后，良率的持续提升对于实现更高产量和满足市场需求至关重要。