存储器领域最新动态汇总

存储器领域（DRAM和NAND Flash）最新动态汇总：

1. 市场行情：

   - NAND Flash：深圳市场交投减少，成交量有限；香港市场需求主要集中在EMMC部分，价格仍然较高；台湾地区供应端报价持平，买方仅针对特定品牌料号进行询价。

   - DRAM：深圳市场动能薄弱，买家询价减少，但由于KST DDR4 16GB存货与来货均减少，午后价格买盘出现，价格由低位反弹至140元；香港买家询价不积极，多数处于观望状态；台湾地区买家需求能见度较低，多数订单并非急迫。

2. 铠侠与西部数据新工厂进展：铠侠和西部数据位于日本北上市的K2工厂已于近日竣工，预计在2025年秋季投产。该工厂将量产最先进的BiCS8 218层3D NAND产品。尽管此前因市场状况不佳，K2的生产计划已推迟一年半，但为了避免已建成工厂的设备折旧成本，投产进度被提上日程。

3. 三星最新量产计划：据报道，三星计划在2024年底前量产第六代10nm级DRAM，采用极紫外光（EUV）技术制造。此外，三星本月可能开始量产290层NAND Flash。这些计划显示了三星在先进存储器技术领域的持续投入。

4. 三星完成400层NAND技术研发：三星电子已完成400层NAND技术研发，并计划于明年2月披露其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存存储器。量产时间预计在明年下半年开始，但有可能在第二季度末就开始。

5. DRAM和NAND Flash产业营收增长：预估，2024年DRAM和NAND Flash产业营收年增幅度将分别增加75%和77%。2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高。

6. HBM技术推动DRAM营收增长：HBM技术的兴起预计将推动2024年DRAM营收达到907亿美元，年增75%，2025年达到1,365亿美元，年增51%。HBM技术除拉升位元需求外，也拉高产业平均价格。

7. NAND Flash市场规模增长：2024年第三季度全球NAND Flash市场规模达190.21亿美元，环比增长5.7%，同比增长93.9%。NAND Flash平均价格在一季度呈20~30%的大幅上涨，带动存储原厂NAND Flash收入显著增长。

8. DRAM市场规模增长：2024年第三季度全球DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。AI及服务器需求保持热度，三星、SK海力士和美光的DRAM收入在三季度依然保持环比增长。

9. 存储器价格走势：双十一期间，DRAM模组整体销量同比下降约20%，SSD销售表现超越DRAM模组。DDR4价格大幅下跌，而DDR5价格保持稳定。HBM市场在2024年表现火热，预计2025年DRAM平均售价年增率达17.0%。

10. 企业级SSD需求强劲：2024年第三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元，企业级SSD需求强劲，消费性订单未复苏。

11. 美光推出新一代超大容量SSD：60TB存储空间

    美光公司发布了基于232层TLC闪存的新款固态硬盘，提供30.72 TB和61.44 TB两种超大容量选择。美光6550 ION固态硬盘采用Micron G8 TLC NAND闪存技术，具备高能效比，最大耗电量为20瓦。在性能方面，美光6550 ION在循序读取、写入以及随机读取和写入方面均显著领先于竞争对手。