三星抢占存储器技术高地，第七代DRAM测试线建设启动

三星电子已开始建设第七代（1d）DRAM的测试线，以提升技术竞争力。据韩国媒体报道，这款存储器属于10纳米级工艺。外界认为，三星此举是为应对在HBM等领域竞争优势的削弱，试图通过抢先布局拉大与竞争对手的技术差距。  
业内消息透露，三星已于第四季度在平泽P2厂启动10纳米级第七代DRAM测试线的建设。业界将这条测试线称为“单路径线”（One Path），预计将于明年第一季度完工。测试线主要用于评估新一代半导体产品的量产潜力，在研发阶段确定芯片性能后，引入晶圆以提升量产良率。据悉，测试线每月可处理约1万片晶圆，但具体厂房规模尚未确定。  
三星此前在“MemCon 2024”活动中宣布，计划在2026年前实现第七代DRAM量产。作为前身的第六代（1c）DRAM预计将在2025年进入量产阶段。第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步推进。三星计划明年初在平泽P4厂引入半导体设备，加速第六代DRAM良率提升，并力争在明年5月前通过内部量产认证（PRA）。为确保第六代产品的顺利量产，三星已将DRAM相关人员从华城厂调派至平泽厂。  
目前，三星在DRAM领域面临不小压力。HBM市场的主导地位已被SK海力士超越，第六代10纳米级存储器的研发速度也落后于竞争对手。业内分析，三星抢先为第七代产品布局，是为2024年全面重新夺回优势做好准备。  
三星近期的人事调整也反映出其战略方向。公司副董事长全永铉已升任为三星电子首席执行官，同时兼任存储器业务和综合技术院负责人。他以推动创新和技术投资的强势作风著称，未来预计将重点加速DRAM等核心产品的研发。  
除了DRAM领域，三星在NAND闪存技术上也在加紧布局。目前，三星已在平泽一厂安装全球首条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂的NAND厂房配置286层V9设备。这一系列投资动作表明，三星正试图在存储器市场上重新夺回技术和市场的双重优势。