韩国存储器双雄竞争：三星启动第七代DRAM试产线

据报道，三星电子正在加快推进第七代DRAM（1d DRAM）产品的开发，并已开始在韩国平泽二厂（P2）建设试产线。这一举措旨在进一步拉开与竞争对手的技术差距，并提升10纳米级DRAM的生产良率。  
韩国媒体消息称，三星从2023年第四季度起在P2厂启动了第七代DRAM试产线的建设，并计划于2024年第一季度完成。这条试产线被称为“单路径线”，用于测试新一代芯片的量产潜力。据悉，试产线每月可处理约1万片晶圆，为下一步的量产奠定基础。  
三星此前在2024年美国“MemCon”会议上宣布计划，到2026年量产第七代DRAM，而第六代（1c DRAM）预计将在2025年实现量产。为了实现这一目标，三星同步推进第六代和第七代DRAM的开发工作，并将相关技术人员从华城厂调往平泽厂。  
三星的投资策略显示其对重夺市场领导地位的决心。近年来，HBM市场的竞争日趋激烈，三星在这一领域面临来自SK海力士的挑战。为提升自身竞争力，三星任命副董事长全永铉为首席执行官，并赋予其更大的技术开发和投资权限。全永铉以推动重大技术创新著称，他的上任被视为三星重整DRAM业务的重要一步。  
此外，三星还在加强其在闪存领域的布局。据悉，三星已在平泽一厂安装了全球首条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂引入286层V9设备。  
业内分析认为，三星在第六代DRAM尚未量产之际，即启动第七代产品的试产，表明其将2024年视为重振市场竞争力的关键一年。这一战略旨在巩固其作为全球存储器行业龙头的地位，并应对日益激烈的市场竞争。