美光宣布HBM4E与台积合作，预计2026年量产HBM4内存

美光（Micron）近日宣布了其最新的高带宽存储器（HBM）技术进展，计划在2026年量美光（Micron）在2024年结束前，发布了关于HBM4和HBM4E计划的最新进展。下一代HBM4记忆体（内存）具有2048位元（位接口），有望在2026年实现量产，至于HBM4E将在随后几年推出。
毫无疑问，HBM4凭借其2048位元接口设计，在数据传输和整体性能上有显著提升。它将采用1β工艺（第五代10nm技术）生产DRAM，数据传输速率约为6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈1.64TB/s。这种卓越的性能使得HBM4在处理大型数据集以及高带宽应用时，能够提供明显的优势，特别是在人工智能（AI）训练和大规模云计算等场景中。
而HBM4E更是引人瞩目，它不仅数据传输速度会超越HBM4，更重要的是它将支持基础芯片的定制化服务。这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。美光的HBM4E将借助台积电先进的逻辑代工制造工艺，把定制化的逻辑芯片制造出来。这些定制芯片能够集成更多的缓存和逻辑电路，从而大幅提升内存的性能和功能，满足不同客户的特定需求。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E的推出将彻底改变存储行业的面貌。目前，HBM4E的开发进展顺利，已经与多家客户展开合作，预计不同客户将采用不同配置的基础芯片。这不仅能为需求多样化的客户提供优化的内存解决方案，还将推动整个行业的进步。
鉴于HBM4预计在2026年大批量上市，美光凭借在成熟的1β工艺技术方面的坚实基础和持续投资，其在上市时间和能效方面有望保持领先地位，同时性能比HBM3E提升50%以上。
另外，在现有HBM3E系列产品方面，美光也取得了积极的市场反馈。例如已经对英伟达（Nvidia）的Blackwell处理器推出8 - Hi HBM3E设备，并正在对12 - Hi HBM3E堆栈进行测试。根据反馈，美光的12 - Hi HBM3E堆栈功耗低于竞争对手20%，但内存容量却高出50%，性能表现处于行业领先地位。这也为HBM4和HBM4E的市场推广奠定了良好的基础。
总之，美光的HBM4和HBM4E计划一旦实现，特别是在与台积电的合作推动下，有望在2026年开启内存技术的新纪元，无论是在高性能计算还是在AI应用领域，都可能产生深远的影响。