韩媒：中国存储器制造商DDR5良率或仅为10%~20%

据韩媒报道，中国某存储器制造商尽管已开始量产先进的DDR5闪存，但其良率可能仅为10%~20%。
根据BusinessKorea 24日的报道，半导体行业观察人士认为，受美国禁止向中国出售极紫外光（EUV）光刻设备等先进半导体设备的影响，该存储器制造商生产DDR5的良率很可能只有10%~20%。阿斯麦（ASML）首席执行官Christopher Fokker解释称，“中国在先进领域约落后10~15年。”
众所周知，中国已通过自主开发材料和元件等方式实现多种设备的本地生产，但业界普遍认为，中国在降低成本和提高价格竞争力方面严重落后，主要受到生产力和良率的影响。一位业内消息人士指出，“虽然中国半导体厂安装的设备外观看起来是美国制造，但维修时更换的零件大多是本土生产的仿制品。”
韩国半导体产业协会（KSIA）执行董事Ahn Ki-hyun认为，三星电子（Samsung Electronics）应尽快瞄准该存储器制造商目前还无法挑战的市场，韩国企业也需要快速转向第5代高带宽存储器“HBM3E”或第6代“HBM4”。
据《朝鲜日报》12月19日报道，该存储器制造商转型至DDR5的时间仅落后韩国四年。
中国存储器制造商金百达（KingBank）和光威（Gloway）已于12月17日推出容量为32GB的DDR5产品。这些企业将DRAM芯片组装成模块，供PC和服务器使用，并以“内置中国制DDR5芯片”的广告词进行销售。
尽管金百达和光威未透露供应商，但线上产品文件显示，该存储器制造商是芯片制造者。业内内部人士确认，该存储器制造商已开始接洽潜在客户，并声称良率高达80%，接近韩国竞争对手的80%~90%。