韩媒：传统DRAM与NAND市场或持续低迷至明年中 ？

韩国媒体报道称，受需求疲软与中国厂商扩产影响，专家预测通用型存储器市场的低迷状态将持续到明年上半年，市场形势难以改善。  

HBM需求旺盛，通用型存储器市场分化加剧  

全球科技公司纷纷加大对人工智能（AI）数据中心的投资，推动高带宽存储器（HBM）需求和价格大幅增长。然而，通用型存储器市场自去年10月反弹后，今年下半年需求骤降。智能手机和个人电脑等消费级产品市场复苏乏力，再加上中国厂商的产能扩张，进一步加剧了存储器市场的分化。  

中国两家DRAM存储器制造商的DDR4 8GB DRAM价格已降至市场均价的一半，仅为0.75-1美元之间。今年11月，用于PC的DDR4 8GB DRAM平均价格较10月暴跌20.59%，降至1.35美元。  

市场竞争加剧，行业前景黯淡  

业内分析认为，存储器市场的两极分化现象将在明年上半年进一步加剧。摩根士丹利警告称，中国厂商的竞争将对通用型存储器的长期盈利能力产生负面影响。预计中国DRAM龙头厂家明年产能将增至每月30万片晶圆，相当于美光产能的85%。  

根据机构的最新预测，2024年第一季度DRAM合约价格预计将下跌13.4%，跌幅远超此前预估的3.1%。第二季度价格跌幅也从3.2%扩大至8.4%。预计到第三季度市场才会回暖，价格可能反弹约12%。  

NAND闪存市场同样低迷。512GB三层式NAND的第一季度合约价格跌幅预估从13.7%扩大至21.4%，第二季度跌幅从3.7%扩大至9.8%。  

HBM成增长亮点  

尽管通用型存储器需求疲软，HBM领域则表现强劲。今年HBM占全球DRAM市场的份额已从去年的8%升至21%，预计明年将进一步攀升至34%。  

英伟达计划在2024年第三季度推出新一代AI加速器“Rubin”，搭载8组第六代HBM（HBM4）。SK海力士计划明年初供应全球首款16层HBM3E产品，并于下半年推出12层HBM4。三星则将基于10纳米级第六代DRAM技术量产HBM4。  

总结  

明年存储器市场或将持续两极分化。通用型存储器市场需求疲软，价格承压，而以HBM为代表的高端存储器则成为行业增长的关键。各厂商加速技术创新与扩产布局，存储器市场格局正在发生深刻变化。