美国政策调整影响下，三星优化建厂策略，聚焦纳米级芯片制造

近期，随着美国政府对《芯片法案》的补助政策调整，三星电子对其在美国的投资计划进行了相应的优化。在补助金额减少的情况下，三星决定调整其在美国的建厂计划，取消了原定于德克萨斯州的先进封装工厂项目，转而集中资源推进2纳米制程技术的研发与生产，以吸引更多美国芯片设计企业的合作。
自拜登政府推出旨在吸引国际半导体巨头投资美国的《芯片法案》以来，三星一直积极参与争取相关补助。然而，由于投资计划的变动，美国政府对三星的补助也随之减少。
最初，三星计划投资超过400亿美元，在德克萨斯州泰勒市建立两座芯片制造厂、一个研发中心和一个封装厂，主要技术方向为3D HBM和2.5D先进封装技术。但随后，三星将投资规模缩减至370亿美元，美国政府也随之减少了对三星的补助金额。
美国商务部发言人表示，由于三星减少了在美国的投资，政府对三星的补助从今年4月宣布的64亿美元减少至47.5亿美元，减少了超过25%。
根据最新的补助情况，三星调整了其在美国的建厂计划，决定放弃泰勒市的封装厂项目，保留两座芯片制造厂的建设。这两座工厂原本计划生产4纳米和2纳米制程芯片，现在三星决定全部用于生产2纳米制程芯片。
这一调整也意味着美国就业市场将受到一定影响。最初，三星预计为当地创造超过4500个高薪制造业岗位和1.7万个建筑业岗位，现在预计只能创造3500个制造业岗位和1.2万个建筑业岗位。
三星原本计划在美国建立从晶圆制造到封装的一体化服务体系，但目前表示将优先提升2纳米制程技术，以响应公司高层战略的转变。
三星晶圆代工部门新任主管韩镇满在12月初上任后，提出了提高2纳米制程良率和扩大成熟制程客户群的双重策略，旨在缩小三星与台积电在市场占有率上的差距。