SK海力士奋起直追，NAND市场地位或迎变局

得益于在HBM（高带宽内存）领域的成功，SK海力士第三季度半导体业务的营业利润率已超越三星。如今，三星在NAND市场的领先地位也正面临着SK海力士的强势冲击。
长期以来，三星占据着NAND市场的龙头地位。然而，最新数据显示，截至2024年第二季度，三星在NAND市场的市占率为36.9%，而SK海力士（包括SK Hynix和Solidigm）的市占率已从2020年的11.7%增长至22.5%。
报告进一步指出，如果这一趋势持续下去，预计SK海力士的市占率将在2024年首次突破20%，从而进一步缩小与三星的差距。
近期，SK海力士发布了新的1兆位4D NAND芯片，创下了新纪录。值得一提的是，就在不到一年前，SK海力士还率先推出了238层NAND芯片。与之前的发布一样，321层的突破具有重要意义，因为它可以显著提高消费者和企业SSD（固态硬盘）的存储密度。
尽管SK海力士在NAND市场的市占率仍落后于三星，但其在垂直堆叠单元技术方面处于领先地位，这表明NAND市场可能会发生重大变化。
面对SK海力士的追击，三星也采取了反击措施。根据消息报道，三星目前正在开发286层的第九代3D NAND，并正在研发400层技术。这一消息是通过2025年IEEE国际固态电路会议议程发布的。
在400层NAND方面，预计将采用三层堆叠架构，而不是目前的双层堆叠设计。这项技术进步充分利用了三星在层数方面的领先优势，因为它是唯一一家能够在单一堆叠中生产超过160层的公司，而竞争对手通常只能达到120-130层。如果三星选择采用三层堆叠方法，该公司甚至可以实现惊人的480层。
其中，“WF-Bonding”是三星实现这一层数的关键技术。据介绍，这是一项名为晶圆到晶圆键合的技术，其中两个单独的NAND晶圆（其上已制造单元和/或电路）相互连接。这种键合技术使每个晶圆的制造流程在可扩展性、性能和产量方面得到了优化。
三星表示，这种方法将实现具有大存储容量和出色硬盘性能的“超高”NAND堆叠，非常适合用于人工智能数据中心的高容量固态硬盘（SSD）。据该公司称，这款芯片被称为键合垂直NAND Flash，或BV NAND，是“人工智能的理想NAND”。