三星聘台积电前高管林俊成发展先进封装技术，两年任期结束后离职

三星电子半导体部门（DS）近期传出消息，曾在台积电任职18年的高管林俊成，在加入三星两年后离职。这一消息引发了行业对三星先进封装技术发展路径的关注。
林俊成的加入与贡献
2023年3月，三星聘请林俊成担任其半导体部门先进封装业务团队副总裁，负责推进3DIC、HBM、I-Cube（E和R）及CPO混合铜键合技术的研发。林俊成在台积电任职期间主导了450余项专利申请，为其3D封装技术奠定了坚实基础。他在三星的两年间，尤其对HBM4技术开发作出重要贡献。
在摩尔定律放缓的背景下，封装技术正成为先进芯片性能提升的关键。三星近年来大力投入封装领域，并通过引入全球顶尖人才，希望缩小与竞争对手的差距。
离职与未来展望
林俊成在LinkedIn上证实了离职消息，并提到两年合同期满。这两年对他来说是一次职业与技术探索的有意义旅程。他感谢三星团队的支持，并特别提到公司为其送行所表现的温暖与诚意。
林俊成的离职也凸显了三星在先进封装领域面临的挑战。虽然在HBM4技术上有所突破，但三星在HBM3E市场仍落后于竞争对手SK海力士，这给其在高端封装市场上的竞争力带来压力。
三星的挑战与未来布局
在先进封装领域，三星正努力与台积电、SK海力士等竞争对手抗衡。林俊成的离职为三星未来的技术研发方向提出了新的考验。随着封装技术的重要性日益凸显，三星需要继续吸引并留住顶尖人才，同时加强研发投入，以在下一代存储技术中占据更大市场份额。