长鑫存储DDR5技术显著提升

据外媒报道，中国本土存储器厂商已经开始销售由长鑫存储（CXMT）生产的DDR5芯片制成的存储模块。作为中国最大的DDR4/LPDDR4制造商，长鑫存储目前正式进入DDR5/LPDDR5的生产领域，引发国际厂商关注其是否会影响市场格局。  
外媒Techpowerup报道称，根据机构的分析，长鑫存储在DDR5芯片的良率方面取得重大突破，已达到约80%，相比最初量产时的50%有了显著提升。这主要得益于长鑫存储在DDR4芯片制造中积累的经验，其DDR4芯片的良率已达到约90%。  
长鑫存储目前在合肥运营两座晶圆厂。Fab 1专注于DDR4芯片的生产，采用19纳米工艺，月产能达10万片晶圆；Fab 2则采用17纳米工艺，用于生产DDR5芯片，月产能为5万片晶圆，预计在年底前将良率提升至90%。  
尽管长鑫存储在技术和良率上取得了进步，但与行业领导者如三星和SK海力士相比，仍存在一定差距。这些国际巨头已经开始采用12纳米工艺生产DDR5芯片，技术差异导致长鑫存储的产品在功耗和尺寸方面尚不及竞争对手。长鑫存储的主要客户集中在国内市场，其芯片主要应用于台式机、笔记本电脑和智能手机。  
未来，长鑫存储计划继续提高DDR5的性能和产能，同时加速HBM技术的研发。据悉，长鑫存储在HBM2芯片的开发上已有所突破，产品目前处于客户验证阶段，预计将在2025年中期开始小规模生产HBM2芯片。