三星完成HBM4逻辑芯片设计，采用自家4纳米工艺生产

据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子半导体（DS）部门的存储器业务部近日完成了HBM4高带宽存储逻辑芯片的设计，其晶圆代工部门已基于该设计启动4纳米工艺试生产。待逻辑芯片的最终性能验证完成后，三星将向客户提供HBM4存储样品进行验证。

报道指出，这种逻辑芯片也被称为基础裸片，在HBM存储器堆叠中起到核心作用，负责控制其上方多层DRAM芯片。在HBM4阶段，由于存储器堆叠I/O引脚数量显著增加并需集成更多功能，全球三大存储器厂商均采用逻辑半导体代工的方式生产逻辑芯片。

韩国市场人士分析称，运行过程中的发热是HBM存储器面临的主要问题，而逻辑芯片在堆叠中是发热的主要来源。采用先进工艺制造逻辑芯片，有助于改善HBM4的能效和性能表现。

目前，三星在HBM4存储领域采取了积极的技术路线，以挽回在HBM3E阶段因质量问题丧失的市场份额。除了采用自家4纳米工艺生产逻辑芯片外，三星还计划在HBM4中引入10纳米级1c工艺生产DRAM芯片，并在16层堆叠中应用无凸块混合键合技术，以进一步提升性能和可靠性。