三星HBM4逻辑芯片设计完成，采用4纳米制程

据韩媒报道，三星已经完成了HBM4的逻辑芯片设计，其采用自家4纳米工艺进行试产。在完成最终的性能验证之后，三星将会提供HBM4样品用于验证，这有望成为全球首个第六代HBM产品。
三星在HBM4方面打算采取更为积极的策略，目的是夺回在HBM3E时流失的HBM市场份额。除了用自家4纳米工艺制造逻辑芯片之外，HBM4在生产DRAM时还将引入10纳米级的1c工艺制程，并且有望在16层堆叠中导入无凸块混合键合技术。
韩国市场人士在报道中被引用表示，运行时发热是HBM面临的最大问题，而在整个堆叠结构里逻辑芯片的发热最为严重，采用先进制程有助于提升HBM4的能效和性能表现。
自HBM产品问世以来，HBM技术已经发展到了第六代，具体包括HBM、HBM2、HBM2e、HBM3、HBM3e（HBM3的扩展版）以及HBM4。
去年11月，三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报公布后的电话会议上称，当时第三季度HBM的总销售额环比增长超过70%，HBM3E的8层和12层堆叠产品都已经实现量产并且开始销售，HBM3E的销售额在HBM总销售额中的占比已经上升到10%左右，预计第四季度HBM3E在HBM销售额中的占比将达到50%左右。
三星的HBM4开发工作正按计划推进，其目标是在2025年下半年开始量产。