NAND Flash市场竞争升级：SK海力士挑战三星霸主地位
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-01-06
多年来，SK海力士在NAND Flash领域以及整体存储市场（包括NAND和DRAM）中，无论在技术还是市场份额上，都落后于韩国竞争对手三星。然而，近期有韩媒报道称，得益于HBM（高带宽存储器）的成功，SK海力士半导体部门的年度营业利润有望首次超过三星。这一变化标志着全球半导体行业竞争格局的重大转变。
技术创新助力市场竞争
据报道，SK海力士已率先实现321层三层单元（TLC）NAND Flash的量产，这使其成为业内首家掌握该技术的企业。这一突破将以更实惠的价格提供更高的存储容量。
近日，SK海力士推出了全新的1Tb 4D NAND芯片，创下新纪录。此前不到一年，该公司刚发布了238层NAND。321层技术的成功不仅提升了消费级和企业级SSD的存储密度，还让容量超过100TB的SSD价格更具竞争力。这项技术尤其适用于人工智能（AI）数据中心及其他高性能存储应用。
应用扩展和市场策略
三星研发400层技术应对竞争
面对SK海力士的技术和市场挑战，三星正积极研发下一代产品。据报道，三星目前正在开发286层的第九代3D NAND技术，并计划推出超过400层的NAND芯片。根据2025年IEEE国际固态电路会议的议程，这款400层以上的芯片采用三级单元（TLC）结构，密度达28Gb/mm²，并支持每针5.6Gbps的数据传输速度，比现有技术快75%。
为了实现更高的堆叠层数，三星计划采用三层堆叠架构，代替当前的双层设计。"WF-Bonding"技术（晶圆到晶圆键合）被视为三星突破层数极限的关键。这项技术通过将两个独立NAND晶圆互相连接，在扩展性、性能和良率方面达到最优。
全球厂商加速布局高层NAND技术
随着行业竞争的加剧，预计2025年NAND市场将进入400层时代，并有望在2027年突破1000层。例如，美光早在2022年就提出了超过400层NAND的技术蓝图，其双堆叠技术有效解决了随着层数增加而出现的工艺难题。西数则通过横向缩小单元尺寸，同时增加层数以提升芯片密度，探索不同技术路径。
铠侠也在今年的国际存储技术研讨会上宣布计划在2027年实现1000层3D NAND的目标。三星此前则表示，计划在2030年前开发出层数超过1000层的NAND芯片。然而，随着技术复杂性的增加，实现这一目标需要克服诸多挑战。
未来几年，NAND市场的技术升级和竞争态势将进一步加剧，全球各大厂商都在努力通过技术创新和市场策略，争夺下一代存储技术的主导权。
在NAND Flash市场，三星的领先地位正在受到SK海力士的强烈冲击。截至2024年第二季度，三星依然以36.9%的市场份额稳居第一，但SK海力士（包括SK Hynix和Solidigm）的全球NAND市场份额已从2020年的11.7%增长至22.5%。若这一趋势持续，预计到2024年，SK海力士的年度市场份额将首次突破20%。
据报道，SK海力士已率先实现321层三层单元（TLC）NAND Flash的量产，这使其成为业内首家掌握该技术的企业。这一突破将以更实惠的价格提供更高的存储容量。
近日，SK海力士推出了全新的1Tb 4D NAND芯片，创下新纪录。此前不到一年，该公司刚发布了238层NAND。321层技术的成功不仅提升了消费级和企业级SSD的存储密度，还让容量超过100TB的SSD价格更具竞争力。这项技术尤其适用于人工智能（AI）数据中心及其他高性能存储应用。
通过精巧的制程优化，SK海力士成功将300多层堆叠至单一NAND中。其"Three Plugs"技术通过优化电气连接工艺，连接三个存储层的垂直通道。这项工艺采用低应力材料并集成自动对准校正功能，有效解决了多层连接可能带来的应力和对准问题。与238层NAND相比，321层芯片的数据传输速度提升了12%，读取速度提高了13%，能效也提升了10%以上。
SK海力士计划逐步扩大321层产品的应用范围，目标锁定需要低功耗和高性能的新兴人工智能（AI）应用领域。SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi表示，这一技术进展使公司在AI存储市场的布局更加完善，涵盖了AI数据中心和终端设备的固态硬盘（SSD）。同时，公司还在扩大其超高性能NAND产品组合，并结合HBM主导的DRAM业务，向综合AI存储供应商的目标迈进。
面对SK海力士的技术和市场挑战，三星正积极研发下一代产品。据报道，三星目前正在开发286层的第九代3D NAND技术，并计划推出超过400层的NAND芯片。根据2025年IEEE国际固态电路会议的议程，这款400层以上的芯片采用三级单元（TLC）结构，密度达28Gb/mm²，并支持每针5.6Gbps的数据传输速度，比现有技术快75%。
为了实现更高的堆叠层数，三星计划采用三层堆叠架构，代替当前的双层设计。"WF-Bonding"技术（晶圆到晶圆键合）被视为三星突破层数极限的关键。这项技术通过将两个独立NAND晶圆互相连接，在扩展性、性能和良率方面达到最优。
三星表示，其400层以上的NAND芯片将成为超高容量SSD的核心组件，尤其适用于AI数据中心。与此同时，三星还计划于2027年推出V11 NAND芯片，并进一步提升数据输入输出速度，为客户提供更高效的存储解决方案。
随着行业竞争的加剧，预计2025年NAND市场将进入400层时代，并有望在2027年突破1000层。例如，美光早在2022年就提出了超过400层NAND的技术蓝图，其双堆叠技术有效解决了随着层数增加而出现的工艺难题。西数则通过横向缩小单元尺寸，同时增加层数以提升芯片密度，探索不同技术路径。
铠侠也在今年的国际存储技术研讨会上宣布计划在2027年实现1000层3D NAND的目标。三星此前则表示，计划在2030年前开发出层数超过1000层的NAND芯片。然而，随着技术复杂性的增加，实现这一目标需要克服诸多挑战。
未来几年，NAND市场的技术升级和竞争态势将进一步加剧，全球各大厂商都在努力通过技术创新和市场策略，争夺下一代存储技术的主导权。
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