全球首款第六代HBM：三星4nm工艺下性能大跃升

据韩国《朝鲜日报》报道，三星DS部门存储业务部近期完成了HBM4存储器的逻辑芯片设计。其Foundry业务部依据该设计采用4nm工艺进行试产，待逻辑芯片最终性能验证完成后，三星将提供HBM4样品以供验证。
逻辑芯片（Logic die，也被称为Base die）在HBM堆叠中如同大脑般起控制作用，负责控制上方的多层DRAM芯片。
报道引用韩国市场人士的观点称，在执行阶段发热是HBM面临的最大问题，而在堆叠整体里逻辑芯片更是主要的发热源，采用先进制程有助于提升HBM4的能效和性能。
HBM4除了采用自家4nm工艺制造逻辑芯片之外，其DRAM还采用10nm工艺生产。
HBM（High Bandwidth Memory），即高带宽存储器，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等领域。
HBM的优势在于突破了存储器带宽和功耗的瓶颈。它采用3D堆叠技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，借助硅通孔（TSV）技术实现芯片间的高速信号传输，大大缩短了数据传输的距离和延迟，从而能够以极高的带宽为处理器提供数据支持。
HBM的特性使其特别适合与GPU搭配进行密集数据处理运算，例如英伟达的新一代AI芯片都搭载了HBM存储器。
HBM产品问世后，其技术已经发展到第六代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3、HBM3e（HBM3的扩展版本）以及HBM4。
HBM1作为最早版本，带来了128GB/s的带宽，开启了高带宽存储器的应用。之后的HBM2、HBM3等每一代都在带宽、容量和能效等关键指标上取得了显著进步。
从行业数据来看，HBM4标准支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率。相较于HBM3E，HBM4单个堆叠的带宽已达到1.6TB/s，极大地增强了存储器系统的数据吞吐能力，从而能够更高效地满足人工智能、深度学习、海量数据处理和高性能计算等领域对存储器性能日益增长的需求。
HBM供应商在各代产品中往往会推出不同堆叠层数的产品，例如HBM3e有8层（8hi）和12层（12hi）的产品，HBM4则规划了12层（12hi）和16层（16hi）的产品。
去年11月，三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报公布后的电话会议中表示，当年第三季度HBM的总销售额环比增长超过70%，HBM3E的8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升到HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。
三星的HBM4开发工作正在按计划推进，目标是在2025年下半年开始量产。