三星HBM怎样通过验证？黄仁勋：需重新设计

英伟达公司首席执行官黄仁勋指出，三星电子必须重新进行设计才能够通过英伟达对其高带宽存储器（HBM）的验证流程。
据南韩《中央日报》、日经报道，黄仁勋于7日在拉斯维加斯消费电子展（CES）举办的记者会上称，“三星必须重新设计，不过他们有能力做到，并且工作效率很高。”“韩国人缺乏耐心是件好事。英伟达所使用的第一款HBM实际上是由三星创造的。他们肯定能够重新崛起。”
当被问及英伟达新推出的RTX50系列GPU为何选用美光的GDDR7图形存储器，而非三星或者SK海力士的产品时，黄仁勋回应称，“我不太清楚原因。这或许并不重要。”
三星的HBM一直存在品质管理方面的问题，SK海力士一直是英伟达第三代高带宽存储器“HBM3”的独家供应商。
然而，黄仁勋在7日强调，三星毫无疑问能够成功生产出HBM。他表示，“我对这一点充满信心，就像我知道明天是星期三一样。”
南韩媒体Daily Korea近期报道，三星透露，在2024年几乎不可能向英伟达供应8层与12层堆叠的HBM3E，因为芯片性能无法达到英伟达的要求。不过，2025年的情况看起来比较乐观。
传闻称，三星一直无法获取英伟达的信任从而争取到订单，是因为竞争对手SK海力士率先采用了批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill；MR - MUF）等先进技术，将进入门槛提得很高。