韩国存储器产业人才流向中美
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-01-14
据韩媒报道,在中国,某存储器厂家凭借韩国籍工程师团队的助力,正以超出市场预期的速度进军传统DRAM市场,并且投入到HBM和DRAM开发工作当中。
中国的芯片制造商得到风投资金的扶持,过去常常以数倍于市场的薪资从中国台湾半导体企业挖角人才,而现在,韩国半导体产业也面临着严重的人才流失问题。
存储器芯片依然是韩国出口的重要组成部分
尽管首尔存在政治和经济方面的不确定因素,但去年韩国的出口成绩达到了前所未有的高度。
产业通商资源部近期发布的《2024年度和12月出口趋势报告》预估,韩国2024年的出口额将达到6838亿美元,创造了历史新高,超过了2022年6836亿美元的前期纪录。这主要得益于强劲的半导体出口,半导体出口额较上一年大幅增长了43.9%,达到1419亿美元,同样创下新高。
在半导体领域,尤其是存储器芯片,仍然是韩国贸易顺差的关键推动因素。2024年韩国的贸易顺差达到518亿美元,达到了6年来的最高水平。高频宽存储器(HBM)销量的迅猛增长,是芯片出口增长的关键动力。然而,韩国蓬勃发展的半导体产业现在面临着日益加剧的内部和外部威胁,这可能会危及未来的发展前景。
在全球范围内,各个国家或地区都在加大对本土芯片产业的支持力度。例如,日本加大对Rapidus的支持,中国台湾的台积电迅速扩大在日的业务,中国的本土芯片制造商也在不断增强培育力度。相比之下,韩国面临着国家战略支持相对落后的风险。
效仿台湾地区竹科,韩国批准建造龙仁半导体科学园区
《路透》杂志去年7月26日报道,全球第二大存储器芯片制造商SK海力士宣布,决定投资约9.4兆韩元(68亿美元)用于扩大其在首尔附近的龙仁市科技园区内第一座晶圆厂的规模。
今年,韩国政府批准建造龙仁半导体科学园区,而且比原定计划提前了3个月。该园区建成后将有望成为全球最大的半导体产业聚集区,目标是2023年开始投入运营,并创造700兆韩元的产值。
其中,作为英伟达供应商的SK海力士自2019年起就在规划在首尔附近的龙仁半导体产业聚集区投资建造4座新的晶圆厂。三星电子预计在2042年之前投资300多兆韩元用于建造先进的厂房。
韩国半导体产业的另一个迫切问题是人才流失问题,中国公司正在大量挖走韩国的人才。
据报道,美国等国家正在延长签证期限以吸引顶尖的科技人才。如果韩国无法留住最优秀的工程师,就有可能在全球人才竞争中丧失竞争优势。
中国的存储器厂家高薪挖角三星和海力士的工程师
中国大陆媒体在今年初报道,某存储器厂家负责开发的高级副总裁金先生是韩国籍人士,毕业于韩国知名大学,在三星电子从事DRAM设计和开发工作长达26年。
金先生曾经担任三星电子研究员(高管)以及一家关联企业负责战略营销的高管,他于2019年11月来到中国,并且在过去5年多的时间里一直领导着该存储器厂家的尖端DRAM开发工作。
借助这支由外籍工程师组成的团队,中国的某存储器厂家正以超出市场预期的速度涉足传统DRAM市场,目前正在积极投入到HBM和DRAM的开发工作中。
《韩国经济日报》去年底对在人力中介平台LinkedIn上披露职业生涯的某存储器厂家现任和前任高管及员工进行了分析。
分析结果显示,在381名相关人员中,有145人(38.1%)曾经是一家全球半导体公司的前工程师,其中有51人被证实来自三星电子和SK海力士。这些人中的大部分被安排在HBM3E、3D DRAM等先进半导体开发部门,对该存储器厂家能力的提升起着至关重要的作用。
中国的芯片制造商得到风投资金的扶持,过去常常以数倍于市场的薪资从中国台湾半导体企业挖角人才,而现在,韩国半导体产业也面临着严重的人才流失问题。
据《韩国经济日报》报道,由于中国的存储器芯片制造商等大规模地从韩国三星电子和SK海力士等主要半导体企业挖角工程师,值得关注的是,该存储器厂家有35%的工程师为韩国籍,这对韩国半导体产业的长期可持续发展构成了重大威胁。
尽管首尔存在政治和经济方面的不确定因素,但去年韩国的出口成绩达到了前所未有的高度。
产业通商资源部近期发布的《2024年度和12月出口趋势报告》预估,韩国2024年的出口额将达到6838亿美元,创造了历史新高,超过了2022年6836亿美元的前期纪录。这主要得益于强劲的半导体出口,半导体出口额较上一年大幅增长了43.9%,达到1419亿美元,同样创下新高。
在半导体领域,尤其是存储器芯片,仍然是韩国贸易顺差的关键推动因素。2024年韩国的贸易顺差达到518亿美元,达到了6年来的最高水平。高频宽存储器(HBM)销量的迅猛增长,是芯片出口增长的关键动力。然而,韩国蓬勃发展的半导体产业现在面临着日益加剧的内部和外部威胁,这可能会危及未来的发展前景。
在全球范围内,各个国家或地区都在加大对本土芯片产业的支持力度。例如,日本加大对Rapidus的支持,中国台湾的台积电迅速扩大在日的业务,中国的本土芯片制造商也在不断增强培育力度。相比之下,韩国面临着国家战略支持相对落后的风险。
韩国媒体的报道强调了监管方面的障碍以及政府支持不足等挑战。例如,SK海力士于2019年启动的龙仁半导体园区建设计划,却不断被推迟,这突显出政府迫切需要采取更加高效、及时的行动。此外,去年韩国国会未能通过极为关键的半导体特别法案,就是一个明显的例证。
《路透》杂志去年7月26日报道,全球第二大存储器芯片制造商SK海力士宣布,决定投资约9.4兆韩元(68亿美元)用于扩大其在首尔附近的龙仁市科技园区内第一座晶圆厂的规模。
今年,韩国政府批准建造龙仁半导体科学园区,而且比原定计划提前了3个月。该园区建成后将有望成为全球最大的半导体产业聚集区,目标是2023年开始投入运营,并创造700兆韩元的产值。
其中,作为英伟达供应商的SK海力士自2019年起就在规划在首尔附近的龙仁半导体产业聚集区投资建造4座新的晶圆厂。三星电子预计在2042年之前投资300多兆韩元用于建造先进的厂房。
韩国半导体产业的另一个迫切问题是人才流失问题,中国公司正在大量挖走韩国的人才。
据报道,美国等国家正在延长签证期限以吸引顶尖的科技人才。如果韩国无法留住最优秀的工程师,就有可能在全球人才竞争中丧失竞争优势。
同时,中国的较大某存储器厂家更是不惜重金进行挖角,以三倍年薪挖走包括1000名韩国人在内的外国人。目前,该存储器厂家有35%的工程师来自韩国。
中国大陆媒体在今年初报道,某存储器厂家负责开发的高级副总裁金先生是韩国籍人士,毕业于韩国知名大学,在三星电子从事DRAM设计和开发工作长达26年。
金先生曾经担任三星电子研究员(高管)以及一家关联企业负责战略营销的高管,他于2019年11月来到中国,并且在过去5年多的时间里一直领导着该存储器厂家的尖端DRAM开发工作。
借助这支由外籍工程师组成的团队,中国的某存储器厂家正以超出市场预期的速度涉足传统DRAM市场,目前正在积极投入到HBM和DRAM的开发工作中。
《韩国经济日报》去年底对在人力中介平台LinkedIn上披露职业生涯的某存储器厂家现任和前任高管及员工进行了分析。
分析结果显示,在381名相关人员中,有145人(38.1%)曾经是一家全球半导体公司的前工程师,其中有51人被证实来自三星电子和SK海力士。这些人中的大部分被安排在HBM3E、3D DRAM等先进半导体开发部门,对该存储器厂家能力的提升起着至关重要的作用。
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