长鑫存储市占率DRAM攀升

据海外媒体报道，随着中国大陆半导体自主化进程的加速，长鑫存储作为国内存储器领域的领军企业，市占率迅速提升，对DRAM市场格局产生了显著影响。据市场机构估算，长鑫存储持续扩产，其在成熟产能供给端的占比将达到30%至50%，有望成为成熟存储器市场的主要供应商，将对2025年的DRAM原有市场格局产生影响。
长鑫存储自2019年首次量产10纳米级G1制程以来，技术不断进步。2022年，公司进入G3制程量产阶段，2025年新增产能将用于G4制程产品，主要瞄准LPDDR5及DDR5市场，目标产品包括服务器和智能手机。
参考全球前三大存储器厂商的技术开发路径，三星在1a制程开始采用EUV设备量产DDR5；SK海力士在1a制程开始采用一层EUV曝光，1b制程开始使用三层EUV曝光；美光则预计在1y制程首度导入EUV制程生产。尽管长鑫存储在缺乏EUV设备的情况下，仍有望从目前最先进的G4制程（相当于三大厂的1z制程）推进至1a或1b制程，具有1至2代的提升空间。
长鑫存储在前段制程上预计仍将落后三大厂约5年，其增长动力主要依赖于国产化、强大的内需市场和资金支持。2024年第四季度，长鑫存储的总产能约为21万片，其中G3制程约占一半，G2及以下制程约占另一半。公司已计划扩产，预计2025年将扩产约9万片的G4制程，新增产能分别为北京二厂4万片、合肥二厂5万片，主要用于生产LPDDR5及DDR5，合计投片占比约达30%。
海外半导体行业分析人士指出，长鑫存储的G4制程在生产LPDDR5基本版本时成本效益尚可，但在生产DDR5时成本效益较差。因此，长鑫存储对LPDDR5市场价格的冲击将从2025年下半年开始显现，并在2026年上半年达到高峰。
据推算，假设三大厂在2025年使用8%至15%的产能生产DDR4及以下产品，长鑫存储扩产后，2025年第四季度在成熟产能供给端的占比将超过50%。即使三大厂使用30%左右的产能生产DDR4及以下产品，长鑫存储在成熟产能供给中的占比也将达到30%以上，成为成熟存储器市场的主要供应商。
供应链方面也指出，目前长鑫存储主要供应中国内需市场，其良率尚不明确。即便良率不足，长鑫存储也能通过积极扩产来增加产量，这将对DDR4及以下存储器的报价形成压力。
综上所述，长鑫存储的快速崛起和产能扩张，不仅将改变全球DRAM市场的供需平衡，也将对市场价格产生深远影响。未来，随着技术的不断进步和市场的进一步拓展，长鑫存储在全球存储器市场中的地位有望继续提升。