三星与SK海力士引领客制化HBM市场发展

据韩国媒体《Business Korea》报道，三星电子和SK海力士有望在客制化高带宽存储器（HBM）市场中占据主导地位。两家公司预计，从2027年起，客制化HBM的需求将显著增长，因此正积极投入相关技术的研发，包括对芯片进行改良以满足客户的特定需求。

HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片，相较于传统DRAM模块，能够提供更快的数据传输速度和更大的存储容量，特别适合用于涉及图形处理器（GPU）的高性能计算应用。随着人工智能市场从学习阶段向推理阶段过渡，对更专业、更高效的硬件（包括客制化HBM解决方案）的需求不断上升。

三星电子和SK海力士均预测，尽管第八代HBM（HBM5）的标准尚未确立，但第六代HBM标准产品将在明年年底前成为市场主流。从2027年开始，客制化HBM的生产将正式启动。

三星电子执行董事Kim In-dong和SK海力士副总裁Kang Sun-kook在去年底由Marvell在美国举办的分析师活动中，分享了他们对客制化HBM技术未来发展的看法。他们强调，需要整合封装、存储器和逻辑半导体的先进技术，以满足市场对高性能计算的需求。

Kim指出，预计到2029年，客制化HBM市场的规模将扩大至380亿美元。三星电子已经开始在其4纳米制程的代工厂内生产第六代HBM的基础芯片，而SK海力士正准备与台积电合作，开始量产第六代HBM的基础芯片。

Marvell定制化、计算和存储事业群资深副总裁兼总经理Will Chu强调，市场对定制化解决方案的需求不断增长，因为客户都希望拥有针对其基础设施量身定制的半导体产品，客制化HBM的需求正在增加。这种趋势在定制化AI芯片的发展中表现得尤为明显，现在正逐渐扩展到HBM等存储器技术领域。

综上所述，随着人工智能市场的不断发展，对客制化HBM的需求将持续增长，三星电子和SK海力士通过提前布局和技术研发，有望在这一市场中占据主导地位。