美光16层HBM3E或量产 股价上涨

据韩国媒体报道，美国存储器大厂美光（Micron Technology, Inc.）即将量产16层堆叠的第5代高频宽存储器“HBM3E”，其进度可与SK海力士（SK Hynix）相媲美。
16日，爆料人士@Jukanlosreve 引述韩国媒体消息，行业消息显示，美光正在开展最后的设备评估工作，准备进行16层堆叠产品的量产。不仅如此，美光还大幅增加对关键制程设备的投资。
韩国半导体业内人士指出，美光过去在标准型DRAM市场处于第三的位置，近期却依靠定制化的高频宽存储器（HBM）和低功耗次世代存储器连接取得进展，韩国的半导体企业需要提高警惕。
传闻称，英伟达（Nvidia Corp.）的次世代产品将采用16层堆叠的HBM3E，美光和SK海力士的量产准备工作进度相近。
15日，美光股价收盘劲扬5.99%，达到103.19美元，创下2024年12月18日以来的收盘新高；年初至今已经大涨22.61%。相比之下，SK海力士和三星电子（Samsung Electronics）年初至今分别仅上涨13.94%和0.94%。
此前市场传言，英伟达已经决定将次世代AI加速器“Rubin”的发布时间提前六个月，从原本的2026年提前到今年第三季度。每颗Rubin将搭配8枚HBM4。
2024年11月20日，英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在财报电话会议提及一些英伟达的“好伙伴”（great partners）时，只提到了台积电（2024）、SK海力士和美光等企业，并没有提到三星。
1月7日，黄仁勋在拉斯维加斯消费电子展（CES）的记者会上表示，三星必须“重新进行设计”（has to engineer a new design）才能够通过英伟达对其HBM的验证程序。他称，“三星必须重新设计，但他们有能力做到，而且工作速度很快。”“韩国人很有冲劲，这是好事。英伟达使用的第一款HBM其实是三星创造的。他们肯定能重新崛起。”