中国有望在中低端市场占据一席之地
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-01-17
随着生成式人工智能(AI)技术的快速崛起,中国在存储器市场的影响力不断扩大。从供应链到市场需求,中国未来的增长潜力备受关注。根据调研机构最新报告,中国存储器制造商长鑫存储(CXMT)正通过技术升级和市场扩张,逐步缩小与全球龙头企业的差距,尽管仍需面对技术瓶颈和美国法规带来的挑战。
报告显示,中国DRAM市场正在增长,预计长鑫存储将在2024年占全球DRAM总产能的13%、出货量的6%以及营收的3.7%。到2025年,长鑫存储的产能有望接近美光。目前其产量和营收偏低的主要原因在于技术相对落后、生产良率较低以及定价策略,但这一差距预计将逐步缩小。
长鑫存储目前每片晶圆的产出比竞争对手低42%,预计到2025年这一差距将缩小至32%。调研机构指出,实现高介电金属闸极(HKMG)晶体管技术是长鑫存储未来提升功耗效率和速度的关键。尽管其LPDDR4的生产良率已达到约80%,但策略性产品DDR5的良率仍低于50%,提升空间明显。
目前,长鑫存储已进入对低功耗制程要求较高的移动市场,并充分利用国内市场优势。调研机构预测,生成式AI和电动车市场的发展,将为中国存储器产业带来全新机遇,尤其是在中低端产品领域。面对美国设备出口限制,中国正通过3D技术以及关键零部件和材料的本地化来弥补差距。尽管设备和材料的本地化扩展在未来1-2年内仍将面临挑战,但这也为中国相关产业链带来加速发展的动力。
调研机构研究总监MS Hwang指出,中国存储器产业的崛起可能重塑全球市场格局。尽管目前在技术与生产良率上仍有不足,但随着生成式AI和电动车等新兴应用需求的增长,中国有望在中低端市场站稳脚跟。持续的技术创新和国际化战略,将成为中国存储器产业突破瓶颈的关键所在。
报告显示,中国DRAM市场正在增长,预计长鑫存储将在2024年占全球DRAM总产能的13%、出货量的6%以及营收的3.7%。到2025年,长鑫存储的产能有望接近美光。目前其产量和营收偏低的主要原因在于技术相对落后、生产良率较低以及定价策略,但这一差距预计将逐步缩小。
长鑫存储目前每片晶圆的产出比竞争对手低42%,预计到2025年这一差距将缩小至32%。调研机构指出,实现高介电金属闸极(HKMG)晶体管技术是长鑫存储未来提升功耗效率和速度的关键。尽管其LPDDR4的生产良率已达到约80%,但策略性产品DDR5的良率仍低于50%,提升空间明显。
目前,长鑫存储已进入对低功耗制程要求较高的移动市场,并充分利用国内市场优势。调研机构预测,生成式AI和电动车市场的发展,将为中国存储器产业带来全新机遇,尤其是在中低端产品领域。面对美国设备出口限制,中国正通过3D技术以及关键零部件和材料的本地化来弥补差距。尽管设备和材料的本地化扩展在未来1-2年内仍将面临挑战,但这也为中国相关产业链带来加速发展的动力。
调研机构研究总监MS Hwang指出,中国存储器产业的崛起可能重塑全球市场格局。尽管目前在技术与生产良率上仍有不足,但随着生成式AI和电动车等新兴应用需求的增长,中国有望在中低端市场站稳脚跟。持续的技术创新和国际化战略,将成为中国存储器产业突破瓶颈的关键所在。
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