哈工大在EUV技术取得关键突破，荷兰ASML暂未表态

中国哈尔滨工业大学近期宣称在13.5纳米极紫外光源技术上实现突破，冲破西方技术壁垒，为国产极紫外（EUV）光刻机的制造增添信心。据媒体报道，掌控EUV光刻机主导权的荷兰ASML（阿斯麦）至今对该消息尚未作出回应。
综合媒体的消息，哈工大樊继壮教授率领的科研团队利用放电等离子体技术，成功制备出13.5纳米的极紫外光源技术。这意味着哈工大此次的研发成果将从根本上补齐国内光刻机产业在EUV光源方面的短板，有力推动国产EUV光刻机问世的进程。
自20世纪90年代起，美国、荷兰、日本等国凭借对关键设备和材料的掌控，将全球半导体产业的控制权集中在少数巨头手中。极紫外光刻机（EUV）作为芯片制造的关键设备，其核心技术13.5纳米极紫外光源的研发难度极高，全球仅有掌握EUV光刻机主导权的荷兰ASML（阿斯麦）掌握此项技术。
尽管中国近五年半导体产业加速发展，但之前的现任ASML首席执行官克里斯托弗·富凯仍公开表示：“华为芯片虽然取得了不错的成果，但相比英特尔、台积电、三星依旧落后至少10到15年。”
外媒也评论称，中国的中芯国际虽然在汽车产业和其他工业应用的成熟制程方面取得进展，但在7纳米以下的先进制程芯片方面仍落后晶圆代工巨头数年。
不过，依据哈工大此次发布的消息，大陆已经掌握了微缩投影光学系统、EUV多层膜技术、光学加工与检测系统、双工件台等七项光刻机核心技术。
据《网易》报道，哈工大在13.5纳米EUV光源技术上取得突破，采用粒子加速产生紫光，这与ASML所采用的美国光源技术和德国徕卡的透镜技术有所不同，具有更具突破性的创新。
大陆企业已经能够实现7纳米芯片的生产，但要突破3纳米等更先进的制程，必须依赖EUV曝光机。哈工大的光源技术突破为国产EUV设备的自主化规划了新的路径，也为日后国产芯片的发展注入信心。
新加坡毕盛资产管理创始人王国辉（Wong Kok Hoi）表示：“这是国产EUV诞生的关键转折点。”一旦大陆市场完成EUV光刻机的研发与量产，在这场“芯片战”中，不仅中芯国际有望追平台积电，华为也将彻底摆脱束缚，取得巨大的发展。