美光：HBM4有望2026年量产

美光将中国台湾定位为动态随机存取存储器（DRAM）卓越制造中心，其60%的DRAM产品在台湾生产制造。美光在上周的记者会上表示，公司将继续扩大高频宽存储器（HBM）3E的1-beta DRAM产能，并计划在台中厂启动最先进的1 gamma制程量产（约相当于10纳米）存储器芯片。

从1 gamma制程量产的准备工作来看，美光显然是在为HBM4的推出做准备。卢东晖表示，按照原计划，HBM4预计将于2026年推出。考虑到美光前端芯片制造基地位于台湾和日本，HBM的后端封装测试也将在台湾进行。

在台湾的最新工厂规划方面，美光去年底从友达光电收购的两座南科工厂，目前正在增设无尘室等设备，预计将于今年上半年启用并投入前端存储器芯片测试（Wafer Probe）。美光桃园厂在引入新工艺的同时，也在建设两栋新大楼，卢东晖表示，如果产能允许，可能会引入极紫外光刻（EUV）设备。台中HBM制造和封装测试厂区自2023年开设新封装测试四厂以来，去年也新增了两座新办公室。

根据美光此前的财报会议公布的营收信息，HBM的季度销售额增长超过1倍，预计2025年HBM将为公司带来数十亿美元的收入。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在近期的财报会议中提到，2025年的HBM产能已经全部售罄，价格也已确定。美光约13%的收入来自数据中心的最大客户，第一季度数据中心的收入同比增长400%，环比增长40%，创历史新高。数据中心的营收占比首次突破50%。

Mehrotra还补充说，HBM4将于2026年量产，预计到2028年，HBM整体市场规模将比2024年的160亿美元增长4倍，到2030年将突破1000亿美元。美光今年获得了第三家客户的HBM订单，预计这将有助于HBM的全球市场份额与美光DRAM相当，达到25%。