三星第六代10纳米级1c DRAM制程开发完成推迟半年

据韩国媒体MoneyToday报道，存储器大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发完成的日期推迟了六个月，推至2025年6月。最初，三星宣称第六代10纳米级1c DRAM制程于2024年年底完成开发并计划量产。但后续生产良率未提升，致使开发时间延迟了约半年。而且一旦开发不能按计划推进，原计划2025年下半年量产的第六代高带宽内存（HBM4）也可能遭受挫折。
消息援引市场人士的观点称，三星第六代10纳米级1c DRAM制程开发遭遇困难。尽管市场在2024年底左右收到了三星送来的首个测试芯片，但由于达不到预期良率，所以把预定开发完成的时间推迟了六个月。在这六个月期间，三星预计将良率提升到70%左右。按照过往业界经验，每一代制程的开发周期通常在18个月左右。不过，三星在2022年12月开发出第五代10纳米级1b DRAM制程，2023年5月宣布量产后，就一直没有1c DRAM的消息传来。
据报道，如果第六代10纳米级1c DRAM制程从开发完成到量产的时间为正常的6个月，那么三星实际量产的时间有望在2025年底。而这样的情况，几乎会影响到三星目前正处于关键时期的HBM产品的发展。以1c DRAM制程为例，DDR5存储器是核心产品，HBM是衍生产品，开发时间要晚于核心产品。这意味着一旦核心产品推迟到2025年底量产，HBM的量产可能会在2025年之后开展。这与三星先前宣布在2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4并量产的情况不同，也给三星在HBM市场的竞争力带来影响。
报道强调，三星计划在2025年上半年全力投入第六代10纳米级1c DRAM制程的开发，力求提升良率。由于竞争对手SK海力士选择了稳定的方式，将第五代10纳米级1b DRAM制程应用于HBM4，所以三星的这一举动展现出产品将大有进步的决心，以进一步提升性能和能源效率。但要实现这一目标，最重要的就是尽快达成量产目标。韩国半导体产业人士指出，据了解，三星正在对1c DRAM制程技术的部分设计进行修改，并且正在尽可能快地推进此项工作。