三星回应1b DRAM设计变更传闻：否认调整，但面临市场竞争压力

近日，韩国媒体ETNews报道称，三星电子第五代10纳米级1b制程DRAM产品因良率和性能问题，于2024年底决定进行改进，并重新设计相关工艺。然而，三星官方随后否认了这一报道，称相关消息不实。尽管如此，该事件仍引发了市场对存储器市场竞争态势的高度关注。

市场观察人士认为，三星此次被传修改1b制程DRAM，可能是出于市场竞争的压力。目前，竞争对手SK海力士和美光均已采用1b制程DRAM生产高频宽存储器（HBM），而三星仍主要依赖第四代10纳米级1a制程。为了提升DRAM的市场竞争力，三星启动了名为D1b-p的计划，其中“p”代表“prime”，象征卓越品质，重点在于提高电源效率和散热性能。

尽管三星是DRAM市场的龙头企业，但其仍面临着来自SK海力士和美光的强劲挑战。这两家公司均已成功实现1b制程DRAM的商业化生产，SK海力士更是于2024年8月完成了第六代10纳米级1c制程DRAM的开发。此外，市场消息称，三星即将发布的Galaxy S25系列手机将采用美光作为主要DRAM供应商，原因在于三星尚未完全解决1b制程LPDDR5X的良率和散热问题。

三星电子对ETNews的报道予以否认，明确表示相关消息不属实。然而，市场人士透露，三星的目标是提升1b制程DRAM的性能和良率。重新设计涉及工艺调整，这不仅成本高昂，且过程复杂。据知情人士消息，三星已于2024年底紧急订购相关设备，并完成了安装和测试。更新后的1b制程DRAM预计将在2025年第二或第三季度实现量产。