美光HBM出货量超预期，HBM4开发及量产计划公布

存储器行业巨头美光近期针对存储器市场动态以及HBM（高带宽内存）的发展情况，对外发布了最新的展望信息。
中国台湾美光董事长卢东晖指出，为满足市场对HBM愈发强劲的需求，美光公司已于2025年1月初对外宣布，在新加坡正式动土建设全新的HBM先进封装设施。
就美光当前HBM的生产制造进展，卢东晖介绍说，借助全球团队的紧密协作，美光成功开发出具有突破性的HBM3E产品。其中，产品设计与制程开发工作在美国开展，存储器制造在日本进行，而先进封装环节则在中国台湾完成。他预计，在未来的几年里，HBM市场将呈现出强劲的增长态势。具体而言，HBM的潜在市场规模（TAM）将从2024年的160亿美元，增长到2028年的640亿美元，到2030年有望超过1000亿美元。
鉴于HBM需求的强劲态势，美光正积极推进HBM4的开发。卢东晖表示，美光凭借稳固的研发基础以及在1-beta制程技术上的持续投入，进行HBM4的开发。预计HBM4上市时将在市场时程和能源效率方面保持领先水平，并计划于2026年启动大规模量产。
中国台湾已成为美光的DRAM卓越制造中心，集技术开发、前端晶圆制造、先进封装以及封装与测试功能于一体。美光在中国台湾的最新投资，将重点引领DRAM技术（包括1-beta及1-gamma）以及AI记忆体HBM3E的先进封装。对于美光台南厂区是否将用作先进封装用途的问题，卢东晖表示，当前的重点是提升美光晶圆测试的大规模生产能力，未来对于台南厂区规划的调整将视业务需求而定。而美光目前的首要工作是增强晶圆探测产能，以应对生产需求的增长。