三星计划一季度末供应增强型HBM3E芯片 下半年量产HBM4

韩国存储器芯片巨头三星电子宣布，计划于2025年第一季度末向主要客户供应第五代增强型高带宽存储器（HBM）产品HBM3E。这是该公司提升在竞争激烈的半导体行业中地位的战略之一。此外，三星还计划在2025年下半年大规模生产第六代HBM4。然而，由于美国对先进半导体的出口管制，预计这些措施将在第一季度对HBM产品的销售产生暂时性影响。
据BusinessKorea报道，在最近的财报会议上，三星透露尽管面临挑战，其2024年第四季度的HBM销量仍较上一季度增长了1.9倍。公司解释这一波动主要是由于地缘政治问题以及准备HBM3E增强型产品的缘故。继2024年第三季度开始量产8层和12层堆叠的HBM3E产品后，三星在第四季度扩大了对多家图形处理器供应商和数据中心客户的HBM3E供应，使得HBM3E销量超过了HBM3。
三星预计从第二季度开始，HBM3E增强型产品的供应量将大幅增加，计划在2025年内使HBM位元总供应量较上年翻一番，以满足客户需求的变化。尽管受到美国政府对先进半导体出口管制的影响，三星认为主要客户的需求将逐渐转向增强型产品，从而导致短期内HBM需求出现缺口。不过，预计自第二季度起，客户需求将更快地从8层堆叠产品转移到12层堆叠产品。
虽然目前市场上对于HBM3E的16层堆叠产品尚无商业化需求，但三星已制造出样品并提供给关键客户进行验证。同时，采用10纳米级1c工艺技术生产的HBM4正在按开发计划推进，目标是在2025年下半年开始量产。
为应对预期中的DDR4和LPDDR4供应过剩问题，三星计划到2025年将其这两款产品的销售比例从2024年初的30%降至个位数。此外，公司正加速向NAND闪存V8和V9技术转移，并扩大服务器大容量QLC规格产品的销售比例，以确保长期的产品竞争力。