传说长江存储出货第五代3D TLC闪存：总层数达294层，Xtacking 4.0架构再升级

据外媒报道，近日，业内传闻长江存储已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破，再次刷新了国产闪存的记录。虽然该消息尚未得到官方证实，但已引发业界广泛关注。
传闻中的第五代3D TLC闪存：
据传，长江存储第五代3D TLC闪存采用了先进的Xtacking 4.0架构，相较于上一代产品，在存储密度、性能和功耗等方面均有显著提升。传闻称，该闪存的总层数达到294层，单颗芯片容量可达1Tb，接口速率提升至2400MT/s，性能提升50%以上，同时功耗降低25%。
Xtacking 4.0架构：
Xtacking架构是长江存储自主研发的3D NAND闪存核心技术，其创新之处在于将存储单元阵列和外围电路分别制造在不同的晶圆上，然后通过垂直互联通道将两者键合在一起。这种设计可以大幅提升存储密度，并简化制造工艺。
Xtacking 4.0作为该架构的最新版本，传闻在以下方面进行了优化：
更高密度的垂直互联通道： 进一步提升了存储密度，为更高层数的堆叠奠定了基础。
更先进的多层堆叠技术： 实现了294层的堆叠，突破了传统3D NAND闪存的层数限制。
更高效的信号传输： 优化了外围电路设计，提升了数据传输速率，降低了功耗。
消息来源及不确定性：
目前，关于长江存储第五代3D TLC闪存的消息主要来源于业内人士的爆料和媒体报道，尚未得到官方确认。因此，该消息的真实性仍存在不确定性。
总结：
尽管消息尚未得到官方证实，但传闻中长江存储第五代3D TLC闪存的参数和性能提升令人期待。如果传闻属实，这将标志着中国在存储芯片领域又迈出了重要一步，进一步缩小与国际领先水平的差距。
需要注意的是， 以上信息基于网络传闻整理，仅供参考，实际情况请以官方消息为准。