坚决反对美国对中国的存储器制造设备的升级禁令
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-02-19
据台媒报道，在全球半导体产业竞争愈发激烈的当下，美国商务部于 2025 年 1 月 15 日颁布的针对出口至中国的存储器制造设备的升级禁令，掀起了轩然大波，尤其对中国长鑫存储的 DRAM 发展带来了冲击，同时也给中国台湾地区的南亚科、华邦电等企业带来了新的机遇与变数。
中国商务部新闻发言人去年12月2日曾表示，中方注意到，美方发布了对华半导体出口管制措施。该措施进一步加严对半导体制造设备、存储芯片等物项的对华出口管制，还拓展长臂管辖，对中国与第三国贸易横加干涉，是典型的经济胁迫行为和非市场做法。美方说一套做一套，不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，实施单边霸凌行径。中方对此坚决反对。半导体产业高度全球化，美方滥用管制措施严重阻碍各国正常经贸往来，严重破坏市场规则和国际经贸秩序，严重威胁全球产业链供应链稳定。包括美国企业在内的全球半导体业界都受到严重影响。中方将采取必要措施，坚决维护自身正当权益。
禁令细则与美企反应
此次禁令大幅提高了对存储器制造设备的限制门槛，25 纳米级以上设备相关采购均被纳入管制范畴。禁令对存储器的线宽、密度与矽穿孔的尺寸限制更为严格。例如，原 18 纳米的禁令限制提升至 25 纳米，DRAM cells 最小尺寸从 0.00194um² 提升至 0.0026um²，最大位元密度由 0.288Gb/mm² 下调至 0.20Gb/mm² ，每片晶片的矽穿孔数量设定为 3,000 个。这意味着长鑫存储的所有制程几乎都被囊括在设备出口禁令内。
2 月中旬，美系半导体设备商应材、科林研发等企业的工程技术人员从长鑫存储位于北京及合肥的工厂撤离。这一举动使得长鑫存储后续的制程升级与产能扩充进程遭受阻碍。
长鑫存储面临的困境
尽管长鑫存储在 2025 年已完成设备采购，但美系技术人员撤离后，后续的参数校正、设备维护与维修工作面临困难。在制程升级方面，从 2024 年到 2025 年间计划执行的 G4 升级到 G4B 制程进度受阻，已量产多时的 G2、G3 制程也因禁令受限，仅有过时的 G1 制程不在管制范围。产品研发与生产同样受到影响。在移动设备常用的 LPDDR4X 和 LPDDR5X 方面，新禁令影响了 LPDDR4X 的良率，拖慢了 LPDDR5X 的供给增长，预计 2025 年下半年 LPDDR4X 价格有机会持平。在 DDR5 领域，原计划 2025 年第二季以 G4 制程生产 DDR5，下半年生产服务器级 DDR5，如今进程可能被迫中断。此外，长鑫存储原计划用 G3 (1x) 制程开发 HBM2E、HBM3，并在 2025 年底准备量产，而美国禁令的升级，大概率会拖慢 HBM 的开发进程。
南亚科、华邦电潜在受益
中国台湾地区的富邦投顾研究报告指出，长鑫存储扩张受限，有利于 DRAM 行业景气提前触底回升。由于长鑫存储在 2024 年积极拓展 LPDDR4X、DDR3 市场份额，而韩系厂商已逐步减产相关产品线。如今美国设备商不再为长鑫存储提供设备校正与维修服务，成熟 DRAM 的供给成长速度将减缓，这有助于缓解中国台湾地区 DRAM 厂商南亚科、华邦电面临的价格压力。如果市场需求保持稳定，在供给减少的情况下，南亚科和华邦电有望凭借现有的产能和技术，获得更多的市场份额和利润空间。然而，南亚科、华邦电也并非高枕无忧。全球半导体市场风云变幻，技术更迭迅速，即便短期受益于禁令，长期来看，它们仍需不断投入研发，提升自身技术实力，以应对来自全球的竞争挑战。美国的禁令在短期内改变了 DRAM 市场的竞争格局，但从长远来看，全球半导体产业的健康发展，更需要公平、开放的市场环境和国际间的合作交流。
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