铠侠重磅发布：第10代NAND，速度飙升30%引领存储变革

在存储技术飞速发展的当下，日本铠侠控股于 2 月 20 日带来了令人瞩目的消息 —— 成功开发出新一代 NAND 型存储器，也就是第 10 代 NAND 存储器。这款产品在性能上实现了重大突破，引发了行业内外的广泛关注。

铠侠第 10 代 NAND 存储器的代表性能层数达到 332 层，相较于第 8 代的 218 层有了显著增加。这一提升直接带来了存储容量的大幅提升，单位面积的存储容量提高了 59% ，能够满足日益增长的大数据存储需求。在数据传输速度方面，更是实现了质的飞跃，数据传输速度提高了 33%，读取数据时的电力效率也得到了明显改善。不仅如此，在输入数据时，电力效率提高 10%，输出时提高 34%，这对于追求高效能与低功耗的数据中心，尤其是面向人工智能（AI）的数据中心而言，具有极大的吸引力，有望获得大量需求。

随着 NAND 技术的不断发展，用于长期存储的 NAND 一直通过堆叠存储数据的元件来提升性能，但随之而来的是设备成本上升的难题。铠侠在技术创新方面积极探索，除了采用增加每层芯片存储容量的技术外，还在开发一种全新的技术路线。即分别制造搭载存储元件的晶圆和写入负责读写等电路的晶圆，之后再将它们黏合起来。这种创新技术不仅有助于提升产品性能，还可能在一定程度上控制成本，为 NAND 技术的可持续发展提供新的思路。

铠侠在 2 月 20 日的发布中，不仅宣布了第 10 代产品的开发成果，还透露正在开发第 9 代产品。第 9 代产品采用了独特的技术组合，存储元件的性能沿用现有技术，而读写性能则采用新一代技术。这种两代产品并行开发的策略，体现了铠侠对市场的精准把握。一方面，第 10 代产品凭借其卓越的性能，满足高端市场对高性能存储产品的需求；另一方面，第 9 代产品则可以凭借更具性价比的优势，覆盖更广泛的市场，满足不同客户群体的需求。

面对激烈的市场竞争，铠侠的竞争对手也在紧锣密鼓地开发 300 层左右的下一代产品。在未来，随着铠侠第 10 代和第 9 代 NAND 存储器的逐步量产和推向市场，必将在存储市场中掀起新的波澜，推动整个行业的技术进步和市场格局的重塑。而铠侠能否凭借这两款新产品在竞争中脱颖而出，我们拭目以待。