铠侠与闪迪发布下一代 3D 闪存技术，4.8Gb/s 速度革新存储格局
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-02-21
在存储技术不断革新的浪潮中，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）携手迈出关键一步。2025 年，两家公司在 ISSCC 展会上率先推出了具有划时代意义的第 10 代 3D 闪存技术，以 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、出色的电源效率和更高的密度，为整个行业树立了全新标杆。
技术亮点：多维度突破
接口速度飞跃
该技术采用了最新的 Toggle DDR6.0 接口标准以及 SCA（分离指令地址）协议，结合 PI-LTT（电力隔离低接触终端）技术，实现了 NAND 接口速度的大幅提升。相比目前大规模生产的第 8 代 3D 闪存，第 10 代产品的接口速度提升了 33%，达到 4.8Gb/s，这意味着数据的读写速度将得到极大优化，无论是在数据中心的海量数据处理，还是在高性能计算机的快速响应需求上，都能提供更高效的支持。功耗显著降低
在电源效率方面，新技术表现同样出色。通过 PI-LTT 技术，它成功将输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%，在提升性能的同时，有效降低了能耗，满足了现代数据中心对于节能减排的迫切需求。对于人工智能、大数据分析等对计算资源和能源消耗巨大的领域来说，这种低功耗特性无疑是一大福音。密度大幅提升
从存储密度来看，第 10 代 3D 闪存技术将存储层数增加至 332 层，并对布局进行优化以提高平面密度，使得位元密度提升了 59%。这一提升使得存储设备能够在有限的空间内存储更多的数据，为应对日益增长的数据存储需求提供了有力的解决方案。行业影响：推动存储变革
铠侠技术长 Hideshi Miyajima 指出，随着人工智能技术的广泛普及，数据量呈爆发式增长，现代数据中心对提高功率效率的需求愈发迫切。铠侠与闪迪的这项新技术，将为未来的存储解决方案，包括固态硬盘（SSD）等，赋予更大的容量、更高的速度和更低的功耗，为人工智能的发展奠定坚实的基础。
闪迪全球策略与技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 也表示，随着人工智能的不断进步，客户对存储的需求日益多样化。通过 CBA 技术创新，旨在推出在容量、速度、效能与资本效率方面达到最佳平衡的产品，满足各市场领域的客户需求。
此外，两家公司还透露了第 9 代 3D 闪存的计划。借助独特的 CBA 技术，将新型 CMOS 技术与现有的存储单元技术相结合，有望推出具有资本效率、高性能且低功耗的产品。这不仅丰富了产品矩阵，也为不同需求的客户提供了更多选择。
铠侠与闪迪的这一技术突破，将在存储领域掀起新的变革。随着新技术的逐步应用和推广，预计将对数据中心、PC、智能手机等多个领域产生深远影响，推动整个行业朝着更高性能、更低功耗、更大存储密度的方向发展。未来，我们期待看到更多基于这一技术的创新产品和应用场景的出现。
上一条: 南亚科在 DRAM 市场的业绩困境与复苏曙光
下一条: QLC NAND 进军手机市场
关闭返回