科林研发技术革新，开启半导体金属化新纪元

科林研发推出的 ALTUS Halo，作为全球首款利用金属钼特性生产先进半导体的原子层沉积（ALD）设备，堪称半导体发展史上的一座里程碑。随着人工智能、云计算等新兴技术的飞速发展，对半导体性能的要求日益严苛，传统的金属化技术已难以满足未来 NAND、DRAM 和逻辑元件微缩的需求。

此前，由科林研发率先开发的钨原子层沉积技术，在长达二十多年的时间里，一直是接点和线路沉积及无空隙填充的主要金属化技术。然而，面对下一代应用对效能的更高要求，金属化技术急需突破。钼，因其在纳米级线路中具有比钨更低的电阻率，且无需粘附层或阻障层，能够减少制程步骤、提高生产效率并提升芯片速度，成为了理想的替代金属。

ALTUS Halo 借助多项专利创新技术，为先进半导体元件提供了卓越的低电阻率金属填充以及高精度的无空隙钼金属化沉积。科林研发全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 表示：“ALTUS Halo 以科林研发深厚的金属化专业技术为基础，是 20 多年来原子层沉积领域的最重大突破。它融合了科林研发的 Quad-Station 模组架构和 ALD 技术的新进展，能够为大量生产提供精准的低电阻率钼沉积，这是新兴和未来芯片实现突破的关键要求，包括 1000 层 3D NAND、4F2 DRAM 和先进的环绕式闸极逻辑元件。”

目前，ALTUS Halo 已投入量产，并获得了领先的量产 3D NAND 制造商以及先进逻辑晶圆厂的采用，与 DRAM 客户的合作也在持续推进。美光科技 NAND 开发企业副总裁 Mark Kiehlbauch 称赞道：“钼金属化的整合使美光科技能够率先向市场推出领先业界 I/O 频宽和储存容量的最新世代 NAND 产品。科林研发的 ALTUS Halo 设备使美光科技将钼投入量产成为可能。”

除了 ALTUS Halo，科林研发还推出了业界最先进的导体蚀刻机台 AkaraR。在半导体制造过程中，蚀刻技术对于实现芯片的微小化和高性能至关重要。随着芯片尺寸不断缩小，对蚀刻精度和效能的要求也达到了前所未有的高度。

AkaraR 具备新颖的等离子处理技术，能够实现 3D 芯片制造所需的卓越蚀刻精度和效能。它延续了科林研发在导体蚀刻领域数十年的领导地位，采用了多项专利技术，如 DirectDrive，这是业界首创的固态等离子源，与先前的等离子源相比，产生等离子的反应速度快了 100 倍，有助于减少 EUV 图案缺陷；TEMPO 等离子脉冲，能够控制等离子种类，使蚀刻选择性和微负载效能达到新的境界；SNAP 则是一种先进的离子能量控制系统，能以原子级精度创建蚀刻结构轮廓。

科林研发全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 指出：“基于 20 多年在导体蚀刻领域的不断创新，我们突破性的新型 Akara 蚀刻机台利用科林研发专利的 DirectDrive 技术，可使等离子反应速度提高 100 倍，在受控条件下创建出原子级特征结构。

Akara 在导体蚀刻方面实现了跨世代的跃升，可在 3D 芯片时代下打造微小、复杂的结构。”AkaraR 已被领先的元件制造商选为多种先进平面 DRAM 和晶圆代工 GAA 应用的生产机台，客户的重复订单以及快速增长的安装数量，充分证明了其价值已得到市场的高度认可。

科林研发推出的 ALTUS Halo 和 AkaraR，分别在金属原子层沉积和导体蚀刻技术上实现了重大突破，不仅为半导体制造商提供了更先进的技术解决方案，也为整个半导体行业的发展注入了新的活力。随着这些技术的广泛应用，有望推动人工智能、云计算等领域迈向更高的发展阶段，为全球科技进步带来深远影响。在未来，我们期待科林研发能够继续保持创新的步伐，为半导体产业带来更多的惊喜 。