慧荣展望：存储市场下半年回暖，2026 年迎高光时刻

 在半导体存储领域持续波动的市场环境下，慧荣科技总经理苟嘉章的观点为行业发展走向提供了关键洞察。苟嘉章指出，整体存储市场预计下半年将会好转，2026 年将迎来更为显著的发展。
DRAM 市场：机遇与挑战并存
在 DRAM 市场方面，DDR5 因数据中心需求的持续增长，前景较为乐观。数据中心作为大数据存储和处理的核心，对高速、大容量内存的需求与日俱增，DDR5 凭借其出色的性能，能够很好地满足这一需求，因此在未来一段时间内，DDR5 有望保持良好的市场表现。然而，中国供应商的大量库存对市场产生了一定的影响。中国长鑫存储等企业的产能扩张迅速，市场份额不断攀升，预计 2025 年长鑫存储市占率达到 10%，2026 年更是有望达到 15% 。大规模的产能释放导致市场上 DRAM 供应增加，库存压力增大，这在一定程度上抑制了价格上涨，使得市场竞争更加激烈。
不过，随着市场的发展，一些积极因素也在逐渐显现。工业产品市场在经历了两年的下行后，于 2025 年开始出现复苏迹象，这为 DRAM 市场注入了新的活力。同时，AI PC 在下半年即将迎来的换机潮，也将带动 DRAM 的需求增长。手机市场的回温，加上中国可能出台的相关补贴政策，都为 DRAM 市场的恢复提供了有利条件。
此外，近期中国 AI 推理模型 DeepSeek 的发布，推动了边缘 AI 的发展进程。边缘 AI 对 DRAM 的需求将逐渐增加，尽管这一变化在 2025 年下半年可能不太明显，但在 2026 年将会更加显著。特别是在 2025 年 5 月的 Computex 之后，随着相关应用的陆续推出，边缘 AI 对 DRAM 市场的带动作用将进一步凸显。
NAND Flash 市场：逐步复苏，前景可期
NAND Flash 市场在经历了一段时间的低迷后，也有望迎来转机。苟嘉章表示，第一季 NAND Flash 价格虽会小幅跌价，但目前供应商已开始坚守价格。各供应商根据市场状况自然调节供给，使得市场供需关系逐渐改善。据市场共识，2025 年 NAND Flash 位元供给预计将增加约 18% - 20%，这一适度的增长有助于市场供需达到平衡。
从市场趋势来看，2025 年上半年由于需求相对不佳，价格仍有一定压力，但随着时间的推移，市场情况将逐步改善。预计第二季底开始，NAND Flash 市场将逐渐复苏，下半年表现将优于上半年，甚至不排除出现些许供应吃紧的情况。特别是高密度的企业级 SSD 需求强劲，将消耗大量 NAND 产能，进一步推动市场供需的优化。
苟嘉章还看好 QLC 技术的发展，预计 2025 年将是 QLC 渗透率大幅成长的一年，该技术将在 2027 年大量释放到市场，除了 PC 品牌采用意愿增加外，还将陆续进入手机、数据中心等市场，这不仅有利于 AI 发展，还能降低客户成本。
未来展望：2026 年存储市场的光明前景
综合来看，慧荣对存储市场的未来发展持乐观态度。2025 年下半年是市场的关键转折点，无论是 DRAM 还是 NAND Flash 市场，都将逐渐摆脱当前的困境，走向复苏。而到了 2026 年，随着各种积极因素的进一步积累和释放，存储市场有望迎来大发展。
在这个过程中，AI 技术的发展将持续为存储市场带来新的机遇。从云端到边缘装置，AI 应用的广泛普及将对存储设备的性能和容量提出更高的要求，从而推动 DRAM 和 NAND Flash 市场的持续增长。同时，随着 5G、物联网等新兴技术的不断发展，与之相关的设备对存储的需求也将不断增加，为存储市场的发展提供更广阔的空间。