AI 浪潮下 SK 海力士领跑高端存储市场

据朝鲜日报报道，在人工智能技术革命的浪潮中，全球半导体产业格局正经历深刻变革。韩国存储巨头 SK 海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的技术突破，被机构韩太证券上调目标价至 30 万韩元，并维持 "买入" 评级。这家全球存储芯片领导者的战略布局，折射出 AI 驱动下数据中心产业链的剧烈重构。

作为唯一能同时供应第四代 HBM3（8 层堆叠）和第五代 HBM3e（12 层堆叠）的厂商，SK 海力士深度绑定英伟达等 AI 龙头企业。其专为英伟达 H20 和 GB300 芯片定制的高端存储解决方案，不仅支撑着 ChatGPT 等大模型的算力需求，更通过技术迭代抢占市场先机。机构分析指出，随着 AI 数据中心投资进入爆发期，SK 海力士在服务器 DRAM 和 HBM 领域的双轮驱动将带来显著收益。
在产能布局方面，SK 海力士加速推进全球战略。2025 年 2 月 25 日，其位于韩国龙仁的半导体集群一期晶圆厂正式动工，该项目总投资 9.4 万亿韩元，计划 2027 年建成后成为 HBM 等新一代存储芯片的生产基地。与此同时，中国市场依然是其重要战略支点。位于江苏无锡的制造基地经过多次增资扩产，DRAM 产能已占全球总产能的 40-50%，并于 2023 年获得美国技术豁免，可继续采购含美技术的半导体设备。
值得关注的是，SK 海力士的技术创新与全球产业链调整形成共振。随着 AI 算力需求激增，全球数据中心建设进入高速发展期，中国智算中心数量已突破 300 个，预计 2028 年市场规模将达 2886 亿元。这种趋势推动存储芯片从传统 DRAM 向高带宽、低延迟的 HBM 演进，而 SK 海力士通过持续的研发投入（2024 年 HBM3E 量产），正将技术优势转化为市场胜势。
在行业周期方面，机构预计随着 HBM3e 占比提升，SK 海力士 DRAM 产品均价将在 2025 年一季度迎来上涨。叠加全球存储芯片库存逐步回归健康水平（DRAM 约 9-10 周，NAND 约 14-15 周），公司有望在 AI 驱动的新周期中巩固领导地位。对于投资者而言，这家存储巨头的技术壁垒、客户粘性及产能弹性，构成了其在 AI 时代的核心竞争力。