南亚科：DRAM供需失衡，上半年承压，下半年有望好转

 在半导体产业中，DRAM 市场至关重要。中国台湾 DRAM 厂南亚科总经理李培锳指出，受益于各国或地区政府刺激方案、三大厂产能调整和 AI 需求带动，DRAM 市场虽上半年有压力，但下半年有望好转，AI 应用兴起也为 DRAM 搭载量提升带来新契机。
DRAM 市场现状：供需失衡，上半年承压
当前 DRAM 市场处于关键转折点，上半年压力较大。需求端，AI 领域对 DRAM 需求快速增长，但传统 PC、手机和消费电子产品需求改善有限。智能手机市场库存虽逐步回归正常水位，但整体出货量及 DRAM 搭载量增长缓慢。PC 市场受企业换机需求和 AI PC 发展影响，有望提升 DRAM 搭载量，然而 AI PC 应用尚未成熟，短期内难有爆发式增长。供给端，中国长鑫存储产能扩张影响显著，传出月产能达 15 万片，导致市场供给过剩、价格下跌。李培锳认为，若没有这一产能扩张，DRAM 市况早已恢复，凸显出当前市场供需失衡，产能增长快于需求复苏，竞争加剧，价格承压。
AI 赋能 DRAM：拓展应用，提升搭载量
AI 的快速发展为 DRAM 市场带来新希望。云端方面，AI 大模型训练兴起，促使云端业者大量投资 AI 服务器，服务器 DRAM 需求呈爆发式增长。边缘端，AI 运算在终端产品应用不断增加，AI PC、AI 手机、AI 机器人等智能电子产品涌现。这些产品对 DRAM 性能和容量要求更高，带动了 DRAM 搭载量提升，以 AI PC 为例，其运行 AI 算法和处理数据需更快读写速度和更大内存容量，使 DRAM 搭载量大幅增加。
南亚科布局与策略：技术创新，拓展竞争领域
面对复杂市场形势，南亚科积极布局。技术上，董事会通过今年资本支出不超新台币 196 亿元，积极提升 1B 制程产品线占比，预计 2025 年位元产出占总产出超 30%，先进制程技术可提升 DRAM 性能、降低成本，增强竞争力。
业务拓展上，南亚科致力于拓展 AI 边缘运算存储器市场，与福懋科共建 3D 矽穿孔制程及多晶片堆叠封装制造能力，与普丁科技开发高附加值、高效能、低功耗的客制化超高频宽存储器解决方案，还与策略伙伴合作开发客制化产品，预计 2026 年底推出新产品，瞄准高阶 DDR5 高密度模组市场、低功率及中 / 低容量产品销售、扩展客制化业务三大领域，满足客户个性化需求，巩固市场地位。
展望未来，DRAM 市场上半年触底后，随着 AI 应用拓展和政府刺激方案生效，下半年有望迎来转机。南亚科等厂商的技术创新和市场拓展努力，将推动行业向更高性能、更具差异化方向发展，为全球数字经济发展提供存储基础。