SK 海力士携手 ASMPT：开启 HBM3E 生产新篇章

 据朝鲜日报报道，在人工智能驱动的半导体存储技术竞赛中，SK 海力士迈出了关键一步。近期有报道称，SK 海力士正考虑采用新加坡 ASMPT 的设备，用于开发其尖端的第五代高带宽存储器（HBM3E）技术，这一举措有望重塑 HBM 市场格局，为 AI 算力升级注入新动力。
技术攻坚：ASMPT 设备破解 HBM3E 良率难题
HBM 作为支撑 AI 服务器的关键存储技术，其性能提升依赖于芯片堆叠层数的增加。然而，随着层数攀升，良率稳定性成为巨大挑战。ASMPT 的 TC 键合机设备，凭借独特的技术优势，成为 SK 海力士攻克这一难题的有力武器。
TC 键合机在 HBM 制造过程中扮演着关键角色，负责将芯片垂直堆叠。SK 海力士采用的 MR - MUF 工艺，借助 TC 键合机反复微抬芯片，再进行质量回流焊和底部填充工艺，有效提升了芯片键合的稳定性和可靠性。在 12 层 HBM3E 工艺中，为防止较薄芯片在键合时翘曲，SK 海力士采用加热质量回流焊（hMR）技术，ASMPT 设备在这一过程中展现出良好的适配性，能够精准控制加热过程，确保芯片键合质量。
市场前瞻：16 层 HBM3E 的战略价值
今年 1 月初在拉斯维加斯举行的 CES 2025 上，SK 海力士展示了使用 ASMPT 设备制造的 16 层 HBM3E 产品。这一产品被视为 12 层 HBM3E 和下一代 HBM4 之间的过渡产品，具有重要的战略价值。随着 Meta、Google 等科技巨头积极开发定制 AI 芯片，并对定制 HBM4 产品提出需求，16 层 HBM3E 在 HBM4 商业化之前，成为了关键替代方案。与此同时，DeepSeek 等低成本 AI 模型的出现，也使得市场对更实惠的 HBM3E 系列需求持续增长。16 层 HBM3E 凭借其性能与成本的平衡优势，有望在未来一段时间内，满足不同层次 AI 应用对存储性能的需求。
供应链多元化：降低风险，提升竞争力
长期以来，SK 海力士一直依赖韩国 Hanmi Semiconductor 的 TC 键合机设备。然而，为了降低供应链风险，提升自身竞争力，SK 海力士近年来积极推进设备供应商的多元化。ASMPT 与同样在积极开发 TC 键合机技术的韩华半导体，成为了 SK 海力士的关键合作伙伴。
据行业观察家透露，自去年以来，SK 海力士已在其生产线上部署了约 30 台 ASMPT 机器。随着 HBM 技术的不断升级，对键合设备的要求也越来越高。ASMPT 设备在 16 层 HBM3E 工艺模拟中的出色表现，使其在与 Hanmi Semiconductor 的竞争中脱颖而出，为 SK 海力士的 HBM3E 生产提供了更可靠的技术支持。
SK 海力士采用 ASMPT 设备生产 HBM3E，不仅是一次技术创新，更是一次战略布局。通过引入新的设备供应商，攻克 HBM3E 良率难题，SK 海力士有望在全球 HBM 市场中进一步巩固其领先地位，为 AI 产业的发展提供更强大的存储支持。随着技术的不断成熟和市场需求的持续增长，HBM3E 有望成为推动 AI 算力提升的重要力量，开启半导体存储技术的新篇章。