SK 海力士 LPDDR5M 与 HBM4：内存技术新突破

 在科技飞速发展的当下，内存技术作为支撑电子产品性能的关键要素，始终处于不断革新的进程中。近期，SK 海力士在内存领域动作频频，其新一代低功耗内存 LPDDR5M 以及高带宽内存 HBM4 的研发进展，吸引了整个行业的目光。
LPDDR5M：高效能低功耗的新标杆
随着智能手机、可穿戴设备等移动终端对性能与续航要求的日益提升，低功耗内存的重要性愈发凸显。SK 海力士全力投入研发的新一代低功耗内存 LPDDR5M，堪称其中的佼佼者。
LPDDR5M 的数据传输速率与现有的 LPDDR5T 一致，均达到 9.6Gbps，已然处于行业顶尖水平。不过，其最大的亮点在于能效方面取得了重大突破。它将工作电压从 LPDDR5T 的 1.01 - 1.12V 降低至 0.98V，能效由此提升了 8%。这一技术进步对于那些配备设备端 AI 功能的智能手机而言意义非凡，它们在本地运行复杂运算任务时，能够消耗更少的电量，从而显著延长续航时间。例如，当用户使用手机进行 AI 图像识别、语音助手交互等操作时，LPDDR5M 可让手机在同等电量下，运行时间更长，响应速度更快。
业内人士推测，SK 海力士极有可能在今年内正式推出 LPDDR5M 产品。届时，众多追求极致性能与续航平衡的移动设备，有望率先搭载这一先进内存，为用户带来更为流畅、持久的使用体验。
HBM4：高端内存市场的有力竞争者
在高带宽内存（HBM）领域，SK 海力士同样成果斐然。当下，其已成功进入 12 层堆叠 HBM4 的试产阶段，并且良品率实现了大幅提升，从去年底的 60% 稳步攀升至 70%。SK 海力士 HBM4 能取得如此进展，离不开其采用的 1β（b）nm（第五代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片。这一工艺在性能和稳定性方面历经严格验证，此前已成功应用于 HBM3E 产品的生产，为 HBM4 的研发奠定了坚实基础。凭借该工艺，HBM4 在数据处理速度、存储容量以及可靠性等方面，均有望实现质的飞跃。
按照既定计划，SK 海力士将于 2025 年 6 月向英伟达提供 HBM4 样品，以满足其 Rubin 架构产品的严苛需求。今年下半年，SK 海力士还将推出首批 12 层堆叠的 HBM4 产品，并在 2025 年第三季度进入全面供应阶段。这一系列动作，无疑将进一步巩固 SK 海力士在高端内存市场的领先地位。随着人工智能、大数据、云计算等领域的迅猛发展，对高带宽、高性能内存的需求呈现爆发式增长。HBM4 的问世，恰好迎合了这一市场趋势，有望在数据中心、AI 服务器等领域大显身手，为相关设备提供强大的内存支持，大幅提升运算效率。
SK 海力士在 LPDDR5M 和 HBM4 上的技术突破，不仅彰显了其在内存技术研发方面的雄厚实力，更为整个半导体行业的发展注入了新的活力。未来，随着这些新技术的逐步应用与推广，我们有理由期待，各类电子产品在性能、功耗等方面将迎来更为显著的提升，为广大用户带来超乎想象的使用体验。