技术革新，应对挑战：SK海力士的HBM4生产与战略调整

近日，在SK海力士清州园区举办的“Together THE Communication Event”上，公司首席执行官郭能荣宣布了SK海力士在未来技术发展上的新方向。他表示：“从技术角度来看，我们将在今年扩大第5代12层高带宽存储器（HBM3E）的生产，并推进第6代HBM（HBM4）的研发和生产，同时保持我们在10纳米第6代DRAM（1c）和10纳米第7代DRAM（1d）方面的领先地位。我们还将优化条件，使得NAND闪存能够更好地适应人工智能热潮的需求。”
在活动中，郭先生强调了在人工智能流程中保持技术领先的重要性，并指出CMOS图像传感器（CIS）业务最近的转型也是为了集中力量于AI领域。为此，SK海力士决定将表现不佳的CIS业务部门整合到AI存储领域，以集中资源和技术能力。
此外，SK海力士管理层每季度都会举办这样的交流活动，旨在通过直接倾听员工的声音来解释各种管理问题。这次活动不仅在清州园区举行，还向全国的所有SK海力士事业所进行了现场直播。公司高层与来自不同领域的负责人共同参与，讨论如何提升运营效率以及面对中国企业在闪存、存储器市场的激烈竞争。
面对来自中国台湾及其他地区企业的竞争压力，包括长鑫存储科技、福建晋华、长江存储科技在内的中国企业正通过激进的供应策略对中国及其他地区的公司构成威胁。对此，SK海力士表示将通过提高技术优势和运营效率寻求突破，强调了制造更好产品的重要性。
值得一提的是，针对员工对绩效奖金不满的问题，郭能荣公开道歉并承诺改善沟通机制，确保提供客观指标避免混淆。同时，SK海力士劳资双方预计将在4月举行的工资谈判相关正式程序中，讨论加薪及绩效分享盈余等议题。
随着全球数据中心、服务器、智能手机等行业对高性能存储器需求的增长，SK海力士致力于通过不断的技术创新和战略调整，迎接未来挑战，巩固其在全球半导体行业的领导地位。