国产自主 EUV 设备预计第三季试产？

近日，一则振奋人心的消息在科技圈引发了广泛关注。据外媒 Wccftech 报道，有消息人士透露，中国大陆成功研发出了属于自己的极紫外光（EUV）微影设备。更令人惊喜的是，该设备采用了与荷兰半导体设备制造巨头阿斯麦（ASML）截然不同的技术，不仅设计更为简单，效率也更高。据悉，这款设备预定在今年第三季度进行试产，明年实现量产。倘若这一消息属实，无疑意味着中国在突破美国科技管制的道路上，迈出了极为关键的一大步。
科技媒体 wccftech 的报道指出，根据 @zephyr_z9 和 @Ma_WuKong 在 X 平台发布的内容，华为目前正在广东东莞工厂对新设备展开测试。这款定制化的 EUV 机台运用了 “激光诱导放电等离子体”（LDP）技术，计划在今年第三季度投入试产，并且有可能在明年正式实现大规模生产。
中国自主研发的机台所采用的 LDP 技术，能够生成波长为 13.5 纳米的 EUV 光。其具体原理是先将电极间的锡蒸发汽化，接着通过高压放电将其转化为等离子体，最后利用电子离子的碰撞，产生所需波长的光。这种技术路径与阿斯麦的 “激光产生等离子体”（LPP）技术存在显著差异。阿斯麦的技术高度依赖高能量激光以及复杂的可编程闸阵列控制。而从试产报告来看，中国自主研发的原型机设计更为紧凑、简洁，不仅耗电量更低，制造成本也显著降低。
长期以来，由于受到美国的限制，阿斯麦无法向中国大陆的厂商出售最先进的 EUV 设备。这使得中芯国际等企业不得不依赖深紫外光（DUV）设备。DUV 设备的波长在 193 至 248 纳米之间，与 EUV 的 13.5 纳米相比，差距悬殊。中芯国际在制造先进制程芯片时，不得不采用重复曝光的方式，这不仅大幅提高了晶圆的生产成本，而且极为耗时。据外界估算，中芯国际生产 5 纳米芯片的成本，比台积电的 5 纳米芯片高出了 50%。
受此影响，华为的麒麟处理器目前仍停留在 7 纳米制程。一旦中国成功打造出 EUV 机台，华为将有望大幅缩小与苹果、高通等企业在芯片技术上的差距。
需要注意的是，阿斯麦作为全球唯一的 EUV 设备生产商，其每一部机台都由超过 10 万个零件组成，技术含量极高。目前，爆料者所提供信息的真实性尚未得到最终确认。而且，EUV 技术的开发难度极大，中国大陆厂商在后续的推进过程中，极有可能还会面临诸多挑战和阻碍。但无论如何，这一消息都让我们看到了中国在半导体领域自主创新的巨大潜力和坚定决心。让我们共同期待中国 EUV 设备在第三季度试产时能够取得圆满成功，为中国半导体产业的崛起注入强大动力。