三星苹果强强联手，LPW DRAM技术革新蓄势待发
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-03-17
在智能手机AI应用加速渗透的背景下，存储技术的迭代正成为行业竞争的新高地。近期消息显示，三星电子与苹果公司正联合开发新一代低功耗宽I/O（LPW）DRAM，预计2028年实现量产。这一技术突破不仅将大幅提升移动设备的AI处理能力，更标志着存储芯片领域正迎来一场技术革命。
LPW DRAM：移动AI的“能量引擎”
根据机构通报，三星与苹果合作的LPW DRAM项目已进入关键阶段。该技术通过优化存储架构，将I/O传输速度提升至204.8 GB/s，同时功耗降低至1.87皮焦耳（pJ），较当前主流的LPDDR5X效率提升约30%。
其核心优势在于：
- 性能跃升：与高带宽存储器（HBM）类似，LPW DRAM通过宽I/O设计实现数据高速传输，但无需依赖HBM的逻辑芯片堆叠，更适配移动设备的轻量化需求；
- 能效平衡：在AI模型本地化运算场景中，LPW DRAM可减少数据在处理器与存储间的传输延迟，降低功耗约40%，延长设备续航。
技术路线之争：三星与SK海力士的差异化布局 除三星外，SK海力士也在推进类似技术。其研发的“Vertical Fan-Out（VFO）”封装方案，通过堆叠LPDDR DRAM芯片提升性能。
两家公司技术路径呈现明显差异：
- 三星方案：采用“混合键合”技术，通过铜柱直接连接芯片层，减少传统焊球的信号延迟，同时利用树脂填充工艺增强结构稳定性； - SK海力士VFO：以环氧树脂填充替代部分金属连接，成本更低但信号传输效率略逊于三星方案。
英伟达的“技术验证”与产业生态联动
值得注意的是，英伟达近期已启动对三星HBM3E的最终测试程序。HBM3E作为数据中心AI芯片的“黄金搭档”，其带宽达819 GB/s，与LPW DRAM形成互补：前者聚焦高性能计算场景，后者则专攻移动终端的轻量化AI需求。这种“高低搭配”的技术布局，反映出半导体产业正从单一芯片竞争转向“场景化解决方案”生态竞争。
行业标准制定与未来格局
三星已主导JEDEC固态技术协会，推动LPW DRAM技术标准的制定。此举不仅巩固了其在移动存储领域的话语权，更试图通过标准化进程建立技术壁垒。机构预测，到2028年，LPW DRAM将率先应用于苹果新一代iPhone及搭载AI大模型的高端机型，随后向折叠屏、AR/VR设备渗透。
挑战与机遇并存
尽管前景广阔，技术落地仍面临多重挑战：
- 良率与成本：堆叠工艺复杂度提升可能导致初期量产良率不足，需平衡性能与成本； - 生态适配：移动操作系统与AI算法需针对新存储架构进行深度优化； - 市场竞争：美光、西数等厂商也在加速布局类似技术，技术路线之争将愈发激烈。
结语：存储革命撬动移动AI新纪元
从三星与苹果的联合研发，到SK海力士的差异化突破，全球存储巨头正以技术革新应对移动AI的爆发式需求。LPW DRAM的诞生，不仅是存储芯片的性能升级，更是移动计算架构的一次范式转移。随着2028年量产节点临近，这场由存储技术驱动的产业变革，或将重新定义智能手机、可穿戴设备乃至物联网终端的AI能力边界。
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