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三星苹果强强联手,LPW DRAM技术革新蓄势待发

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-03-17

在智能手机AI应用加速渗透的背景下,存储技术的迭代正成为行业竞争的新高地。近期消息显示,三星电子与苹果公司正联合开发新一代低功耗宽I/O(LPW)DRAM,预计2028年实现量产。这一技术突破不仅将大幅提升移动设备的AI处理能力,更标志着存储芯片领域正迎来一场技术革命。

 LPW DRAM:移动AI的“能量引擎”  
根据机构通报,三星与苹果合作的LPW DRAM项目已进入关键阶段。该技术通过优化存储架构,将I/O传输速度提升至204.8 GB/s,同时功耗降低至1.87皮焦耳(pJ),较当前主流的LPDDR5X效率提升约30%。
其核心优势在于:  
- 性能跃升:与高带宽存储器(HBM)类似,LPW DRAM通过宽I/O设计实现数据高速传输,但无需依赖HBM的逻辑芯片堆叠,更适配移动设备的轻量化需求;  
- 能效平衡:在AI模型本地化运算场景中,LPW DRAM可减少数据在处理器与存储间的传输延迟,降低功耗约40%,延长设备续航。  
 技术路线之争:三星与SK海力士的差异化布局  
除三星外,SK海力士也在推进类似技术。其研发的“Vertical Fan-Out(VFO)”封装方案,通过堆叠LPDDR DRAM芯片提升性能。
两家公司技术路径呈现明显差异:  
- 三星方案:采用“混合键合”技术,通过铜柱直接连接芯片层,减少传统焊球的信号延迟,同时利用树脂填充工艺增强结构稳定性;  
- SK海力士VFO:以环氧树脂填充替代部分金属连接,成本更低但信号传输效率略逊于三星方案。  

行业分析指出,两家企业的技术路线选择,折射出对移动存储市场不同方向的押注——三星侧重性能极限突破,SK海力士则更注重成本控制与量产可行性。
 英伟达的“技术验证”与产业生态联动  
值得注意的是,英伟达近期已启动对三星HBM3E的最终测试程序。HBM3E作为数据中心AI芯片的“黄金搭档”,其带宽达819 GB/s,与LPW DRAM形成互补:前者聚焦高性能计算场景,后者则专攻移动终端的轻量化AI需求。这种“高低搭配”的技术布局,反映出半导体产业正从单一芯片竞争转向“场景化解决方案”生态竞争。
 行业标准制定与未来格局  
三星已主导JEDEC固态技术协会,推动LPW DRAM技术标准的制定。此举不仅巩固了其在移动存储领域的话语权,更试图通过标准化进程建立技术壁垒。机构预测,到2028年,LPW DRAM将率先应用于苹果新一代iPhone及搭载AI大模型的高端机型,随后向折叠屏、AR/VR设备渗透。  
 挑战与机遇并存  
尽管前景广阔,技术落地仍面临多重挑战:  
- 良率与成本:堆叠工艺复杂度提升可能导致初期量产良率不足,需平衡性能与成本;  - 生态适配:移动操作系统与AI算法需针对新存储架构进行深度优化;  - 市场竞争:美光、西数等厂商也在加速布局类似技术,技术路线之争将愈发激烈。  
 结语:存储革命撬动移动AI新纪元  
从三星与苹果的联合研发,到SK海力士的差异化突破,全球存储巨头正以技术革新应对移动AI的爆发式需求。LPW DRAM的诞生,不仅是存储芯片的性能升级,更是移动计算架构的一次范式转移。随着2028年量产节点临近,这场由存储技术驱动的产业变革,或将重新定义智能手机、可穿戴设备乃至物联网终端的AI能力边界。