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三星及海力士等料加入NAND加价潮,Flash涨价有望提前

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-03-17
三星及海力士等料加入NAND加价潮,受供应减少、买方增加采购及AI需求影响 
NAND Flash价格有望提早回升
全球存储市场震荡:供需失衡与技术革新推动NAND价格回升
近期全球存储市场迎来新一轮涨价潮,三星、SK海力士、美光等头部厂商计划从4月起上调NAND闪存价格,涨幅普遍达10%-11%。此次涨价主要受供需关系逆转与AI需求激增双重驱动:  
- 供应端收缩:三星与SK海力士主动减产,导致今年第一季度NAND产量较去年下半年减少超10%。三星3月交货量仅达原订单的20%-25%,供应链企业普遍面临供货短缺;美光新加坡工厂突发断电事故进一步加剧产能危机,其NAND控制芯片供应商群联电子证实,去年12月下单的订单近期交付率不足25%。 
- 需求端爆发:AI大模型参数突破万亿级,企业级存储需求从4TB向128TB跃迁,数据中心采购量季度增幅达40%。机构指出,AI服务器对高密度存储的渴求成为核心驱动力。  
头部厂商集体调价策略中,SanDisk以“关税成本上升”为由率先涨价,美光宣布新订单报价上调11%,三星、SK海力士等亦计划跟进。五大厂商通过减产形成“供给联盟”,推动现货市场小容量NAND价格提前止跌回升。  
机构分析之处,买方因预期2025年下半年涨价,自3月起大幅增加采购量,加速价格回升进程。分析师指出,NAND闪存晶圆合约价有望在第二季度止跌反弹,全年景气度将在下半年重回上升轨道。尽管第一季度受淡季影响营收可能环比下滑20%,但厂商减产已推动价格触底。  
技术层面,三星与SK海力士的工艺路径分化凸显:三星采用铜柱连接+树脂填充工艺追求性能极限,SK海力士则以环氧树脂填充降低成本。国产厂商如长江存储通过232层3D NAND技术突破,市场份额已突破5%,加速中端市场格局松动。  
未来,全球NAND市场将面临AI算力需求爆发与地缘博弈的双重挑战。机构预测,企业级存储市场规模预计从2024年650亿美元增至2029年近1500亿美元,年复合增长率近18%。谁能更高效整合“技术+服务”生态,满足AI时代的存储需求,谁就将主导下一个十年的产业话语权。