NAND供需改善，高端存储与端侧创新引领新需求

招商证券最新研报指出，随着供需格局的逐步改善，NAND等产品的价格拐点逐渐显现。与此同时，高端存储器的需求持续旺盛，叠加减产效应，整体供需格局明显优化，部分厂商的盈利能力有望得到修复。预计2025年国内存储行业将围绕消费类产品边际复苏、高端产品国产替代和端侧产品创新加速三大主线发展。
 供需结构改善，NAND价格拐点临近
在供给侧，海外存储原厂针对NAND等产品进行积极减产，并减少了对传统消费类产品的资本支出规划。这使得部分NAND产品的过剩产能得到有效消化，供需关系趋于平衡。在需求侧，多家云服务提供商未来资本开支指引乐观，HBM（高带宽存储器）和eSSD（企业级固态硬盘）等高端存储器的需求旺盛。同时，AI技术的普及推动了智能手机、PC和可穿戴设备等终端产品的存储容量提升，进一步拉动了市场需求。
根据市场动态，DDR5等高端DRAM产品的价格维持高位，而利基DDR3等产品的价格仍面临一定压力。然而，NAND Flash Wafer的价格已出现边际改善，部分存储模组厂商预计2025年第二季度部分产品将迎来价格拐点。
 高端存储器景气延续，国产替代进程加速
北美互联网云厂商2024年第四季度资本开支同比显著增长，多家厂商对2025年的资本开支持乐观态度。三大存储原厂计划在2025年增加对HBM和eSSD等高端存储器的投资，美光更是将2025年HBM市场规模预测从250亿美元上调至300亿美元。国内厂商如长江存储和长鑫存储分别在多层3D NAND和LPDDR5等领域快速追赶，部分产品性能已接近国际领先水平。此外，三星计划在其下一代V10 NAND产品上与长江存储合作，显示出国产存储IDM厂商的技术实力。
 AI端侧产品逐步落地，存储模组与芯片扩容趋势明确
SK海力士预测，到2025年，AI智能手机和PC的渗透率将分别达到约30%和30%-40%。在CES 2025大会上，多款AI+AR眼镜产品亮相。近期，Deepseek等大模型推出，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，使复杂模型能够在边缘设备（如手机、物联网设备）上运行成为可能，进一步加速了搭载AI大模型的端侧产品落地。例如，AI智能手机的平均DRAM容量预计将从8GB增至12-16GB，AI PC的平均DRAM容量将从12GB增至16-64GB，AI耳机的NOR容量将从64-128Mb增至256Mb。
 存算一体突破“双墙”限制，算力下沉需求加速存储创新
传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构，CPU处理片外DRAM数据时，常用数据会被存储在缓存中，但CPU和主内存之间的有限带宽会形成“存储墙”，同时数据搬运能耗极高，形成“功耗墙”。存算一体方案通过采用2.5D/3D互联等近存计算或HBM、新型存储器等存内计算的方式，能够有效突破这两道限制。
随着算力逐渐从云端下沉至边缘端，边缘设备不仅提出了更高的算力需求，还对灵活性、成本和功耗提出了要求，这将进一步加速存算一体方案的创新。以华邦电CUBE为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备，在小容量下实现高带宽。
综上所述，随着供需结构的改善和技术进步，NAND等存储器产品的价格拐点即将来临。同时，高端存储器的需求持续旺盛，叠加国产替代进程加速，将为相关企业提供新的发展机遇。投资者应密切关注这些领域的变化，把握投资机会。