DRAM价格略有回升，长期价格仍然受到抑制，仍需谨慎对待

 自去年以来，由于中国的消费补贴政策、人工智能（AI）基础设施的采购需求以及库存调整等因素，DRAM的价格在今年第一季度经历了下降。然而，最近市场上出现了价格回升的迹象。尽管如此，由于贸易不确定性的影响，长期价格预测仍然受到抑制，导致DRAM市场前景复杂。
根据业内消息，截至20日，国内移动DRAM库存调整已接近尾声，特别是DDR4和LPDDR4 DRAM的价格有所上涨。由于中国CXMT产能有限，难以满足市场需求，三星电子和SK海力士对中国的DRAM出口正在增加。研究员Lee So-rim指出，“中国推出的‘以旧换新’补贴计划促进了中端智能手机的需求，尤其是LPDDR4的需求增长显著。”此外，用于高性能PC和服务器的DDR5订单也有所增加，预计下半年服务器对DDR5的需求将进一步上升。
虽然NAND闪存的库存水平在客户和内存公司中仍然较高，但中国台湾模组制造商的批量需求似乎正在增加。企业目前可能通过减产计划来控制库存，但在下半年实际需求反弹期间，采购活动将继续进行。这预计将对三星电子和SK海力士第二季度的业绩产生积极影响。
市场研究机构预计，第一季度用于PC的DRAM价格将同比下降5-10%，但从第二季度开始有望上涨3-8%，并在下半年进一步走强。服务器DRAM在第一季度下降3-8%后，预计价格也将上涨；而移动DRAM从第二季度开始预计价格上涨0-5%。由于对高性能图形处理器（GPU）的需求，图形DRAM的价格预计将保持稳定。
摩根士丹利在其最新报告中提到，如果市场迅速复苏，DRAM价格有可能出现高于预期的回升。他们还预测，由于三星电子、SK海力士和铠侠等大公司主动降价，NAND闪存价格在第二季度可能会上涨高达10%。然而，要实现像过去那样的“V型恢复”将面临挑战，全球经济衰退和地缘政治风险（如关税、贸易冲突等）可能会对半导体市场造成负面影响。
特别值得注意的是，下半年消费者对NAND闪存的信心疲软以及中国公司之间的价格战可能成为影响市场的变量。摩根士丹利对高带宽内存（HBM）市场持谨慎态度，认为这是三星电子和SK海力士今年表现的最大变数之一。他们强调，“AI服务器的需求是否能成为HBM市场的关键因素仍有待观察”，并指出，“如果美国云公司的资本投资放缓，HBM在短期内也可能面临更大的库存压力。”
综上所述，尽管当前DRAM市场显示出一些回暖迹象，但由于全球贸易环境的不确定性和潜在的经济挑战，未来的市场走势仍需谨慎对待。各大厂商需要灵活应对市场变化，持续关注技术进步和客户需求的变化，以确保在竞争激烈的市场中占据有利地位。