SK海力士通过第6代DDR5 DRAM技术增强HBM性能

在11月19日举行的韩国第52届工业节纪念仪式上，SK海力士副总裁张泰洙（Jang Tae-soo）因其开发采用10纳米级1c超精细工艺技术的16Gb DDR5 DRAM，为提升国内半导体行业竞争力所作出的贡献而获得了总统表彰。这一成就标志着SK海力士在技术上的又一次重大突破。
张泰秀副社长于20日表示：“随着第6代（1c）DDR5 DRAM的开发，SK海力士将进一步巩固其技术领先地位。”作为一位专注于内存领先技术和器件研究长达20年的专家，张泰洙参与了从44纳米到10纳米的10代核心技术开发，显示了他在该领域的深厚积累和持续贡献。
在接受SK海力士新闻编辑室采访时，张副社长强调了这项新技术的重要性：“通过积极向客户提供超高速、低功耗的产品，并迅速进入高端市场，我们可以获得捕捉早期需求的优势。”他还指出，希望此次开发的技术能够对提高高带宽内存（HBM）性能有所帮助。
1c工艺技术被视为一种尖端的前沿技术，它不仅提高了内存性能，还降低了功耗，这对于高性能计算（HPC）和人工智能（AI）的发展至关重要。张副总经理提到，减小DRAM单元尺寸可以在保持HBM芯片尺寸和高度的同时增加容量，并且在HBM中尝试各种设计以增加多种功能成为可能。“更小的芯片和通过小型化降低的功耗对HBM热管理有积极影响”，他补充道，“完成的HBM有望加速AI行业的发展。”
这次成功开发不仅是对SK海力士技术研发能力的一次肯定，也预示着公司在未来的市场竞争中占据有利位置。通过不断提升产品的性能和效率，SK海力士正致力于满足日益增长的高性能计算和AI领域的需求。随着这些技术的应用，预计将在推动整个行业的进步方面发挥重要作用。这不仅有助于提升公司的市场地位，还将为全球科技发展贡献力量。