外媒：中国加速自主研发先进半导体设备，力图摆脱对外依赖

据海外媒体报道，随着全球半导体产业竞争的加剧，中国正加紧研发先进的制程半导体设备，以减少对国外公司的依赖并提升自主创新能力。当前，中国最大的本土半导体公司中芯国际主要使用的是传统的深紫外光刻（DUV）设备，这使得其在与美国等竞争对手的较量中处于不利地位。由于美国能够使用阿斯麦（ASML）最先进的极紫外光刻（EUV）设备，并且通过出口禁令限制了这些高端设备进入中国市场，中国必须开发自己的芯片制造工具来保持竞争力。
华为及其新凯来（SiCarrier）正在努力开发可替代ASML EUV设备的技术。据报道，在华为的支持下，基于激光诱导放电等离子体（LDP）技术的定制化EUV原型设备预计将在2025年第三季度进入试生产阶段。尽管日本经济新闻并未明确指出这款设备是否与新凯来正在测试的硬件相同，但最新消息表明，新凯来正在开发多款设备，旨在不仅取代ASML的产品，还要减少对中国以外竞争对手的依赖，助力中国实现先进制程晶圆的自主生产。
新凯来得到了深圳的支持，这对于其运营和发展至关重要。据知情人士透露，该公司目前专注于芯片制造领域，目标直指ASML、应用材料和泛林集团等国际巨头。此外，涉及曝光、化学气相沉积、测量、物理气相沉积、蚀刻及原子层沉积等多个环节的硬件也在积极研发之中。
目前，上述各类设备主要由荷兰、美国和日本的企业主导，而新凯来的目标是通过与华为不断壮大的芯片生产和芯片制造设备专家团队紧密合作，逐步缩小技术差距。虽然第一台原型机的具体投产时间尚未公布，但考虑到中芯国际现有的最先进曝光技术——5纳米制程，仍需克服诸多挑战才能实现大规模量产。
现阶段，由于使用的DUV设备耗时长且容易产生大量有缺陷的晶圆，导致生产成本增加，中芯国际尚未能大规模量产5纳米制程技术的晶圆。然而，在新凯来、华为以及中国的共同努力下，相信不久之后，中国在芯片制造领域的技术水平将取得显著进步，逐步实现从依赖进口到自主创新的重大转变。
这一系列举措不仅展示了中国在全球半导体产业链中的崛起决心，也为未来的技术创新和发展奠定了坚实基础。随着越来越多的资源投入到半导体设备的研发中，中国有望在未来几年内打破技术壁垒，实现半导体行业的自给自足。