中国半导体技术取得重大突破：3纳米制程新进展

近日，据媒体报道，中国科学院成功研发了一种突破性的固态DUV（深紫外线）激光技术，能够发射193纳米的相干光，与当前主流的DUV曝光波长一致，这将有助于推进半导体制造工艺至3纳米节点。

 自主创新，绕开技术封锁
中国科学院团队在《国际光电工程学会》期刊上公布了这一重要研究成果。该技术通过创新的固态激光方案，实现了193纳米波长的相干光输出，理论上可支持半导体工艺延伸至3纳米节点，为中国实现光刻技术自主化开辟了新的路径。
目前，全球领先的光刻机制造商如阿斯麦、佳能和尼康等公司使用的DUV系统均依赖氟化氙（ArF）准分子激光技术，这种技术通过氩氟混合气体释放出193纳米波长的光子，输出功率为100到120瓦，频率为8千到9千赫兹，系统复杂且能耗较大。
相比之下，中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，使用自制的Yb:YAG晶体放大器产生1030纳米的激光，并通过两条不同的光学路径进行波长转换，最终生成193纳米波长的激光束。该技术不仅降低了微影系统的复杂度和体积，还减少了对稀有气体的依赖并显著降低了能耗。
 技术指标仍有提升空间
尽管中科院的技术在光谱纯度上已接近商用标准，但其输出功率和频率仍需进一步提升。当前的实验结果显示，平均功率为70毫瓦，频率为6千赫兹，而商用标准通常为100到120瓦，频率为8千到9千赫兹。这意味着中科院的技术还需继续迭代优化，才能达到商用水平。
此次突破不仅展示了中国在半导体技术领域的自主创新能力和决心，也为未来的发展奠定了坚实的基础。通过自主研发的固态DUV光源技术，中国有望逐步减少对进口设备和技术的依赖，进一步巩固在全球半导体产业链中的地位。
总结来看，尽管当前的技术指标尚未完全满足商用需求，但随着持续的研发投入和技术改进，中国在半导体制造领域的自主创新能力将持续增强，推动整个行业的进步和发展。这不仅对中国半导体产业具有重要意义，也为全球科技进步贡献了新的力量。