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全球2纳米芯片竞赛:台积电领跑,英特尔、三星紧追不舍

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-04-04
近期,全球半导体行业掀起了一股“2纳米竞赛”的热潮。中国台湾台积电率先宣布开放2纳米芯片预订,并计划进入量产阶段,而英特尔、日本Rapidus和三星等巨头也纷纷更新其2纳米制程的最新进展。
台积电在新竹宝山厂完成了约5000片的风险试产,良率达到了60%以上,预计2025年下半年正式进入量产。初期月产能预计突破5万片,随着ASML极紫外光刻机(EUV)设备的采购增加,到2026年,台积电的2纳米月产能有望提升至12万至13万片,遥遥领先于竞争对手。主要客户如苹果、AMD等已排队等待首批晶圆,即便单片价格高达3万美元,仍争相抢购。
英特尔则在其“Intel Vision 2025”大会上宣布,18A制程(相当于1.8纳米)已进入风险试产阶段,展示了其挑战台积电市场地位的决心。由于财务压力和技术进展,英特尔将资源集中于18A制程,并计划在今年下半年扩大产量,应用于下一代笔记本电脑处理器Panther Lake系列。
日本的Rapidus,在政府资金支持下加入2纳米竞争,宣布将于本月内启动2纳米中试线,计划在2027财年前完成量产,并开发先进封装技术以增强竞争力。与此同时,三星也在积极研发自家的2纳米Exynos芯片,计划用于Galaxy S26系列,但业界对其技术表现持保留态度。
根据TechInsights与SemiWiki的分析,台积电N2(2纳米)与英特尔18A各有千秋:

- 晶体管密度:台积电N2达到313 MTr/mm²,优于英特尔18A的238 MTr/mm²。
- 性能:英特尔18A在效能上领先,尤其是采用了PowerVia背面供电与RibbonFET环绕栅极(GAA)技术。
- 能耗表现:台积电N2预计将比英特尔18A和三星SF2功耗更低。

尽管2纳米仍在量产初期,台积电已开始布局1.4纳米(N1.4),并计划于2027年开始风险试产,2028年实现量产。面对技术与成本的双重挑战,英特尔和三星也在规划更先进的制程节点,但目前尚未公布明确的时间表。
这场2纳米芯片竞赛不仅体现了各大厂商的技术实力,更是对未来数据中心、智能手机以及人工智能等领域发展的关键推动。谁能在这场竞赛中脱颖而出,还需看实际产品表现及客户的采用情况。无论结果如何,这都将极大地促进科技的进步与发展。