AI与减产双轮驱动，存储芯片开启上行新周期

在AI浪潮与芯片原厂减产的双重推动下，存储芯片市场正迎来重大变革。从2025年第二季度起，DDR5和NAND闪存价格开启回升通道，进入卖方主导时代，预计下半年传统旺季，价格涨幅有望达到15% - 20%。到2026年，HBM4和边缘AI市场的爆发，将进一步加剧供需紧张局面，南亚科、华邦电等中国台湾厂商有望迎来新一轮增长。

 美光带头全面涨价，存储市场风向骤变美光发布亮眼财报并做出乐观展望后，迅速向供应链发函，宣布对所有产品全面涨价。这次涨价不仅涉及通路现货，还涵盖尚未议价完成的合约订单，若需求超量，美光还可能进一步加价或收取急单费用。以往，存储芯片价格主要随市场供需波动，此次美光全面涨价的策略十分罕见，标志着AI应用需求正推动存储芯片行业摆脱传统周期，进入卖方主导阶段。
 减产效果逐步显现，众厂商跟进涨价各大存储芯片厂商持续减产的效果逐渐显现。Sandisk、美光和长江存储已宣布Nand Flash闪存涨价幅度超10%，三星、SK海力士与KIOXIA也准备跟进。在供给端，三星和SK海力士两大韩厂减产措施持续发酵，美光新加坡NAND厂又突发断电，导致NAND供货紧张。需求端，中国消费刺激政策成效显著，PC和手机的DRAM及NAND库存从2024年高点的10 - 12周，回落至约7.5周的正常水平，电竞高端PC需求也在逐步回暖。基于此，研调机构上修了第二季度的价格预估，DRAM现货与合约价季增幅提升至3% - 5%，NAND现货价季增0% - 3%，且后续随着减产的持续，NAND价格涨幅将进一步加速。
 HBM市场扩张，成为新增长引擎HBM市场的扩张，为存储芯片行业注入了新的活力。美光将HBM市场规模（TAM）上修至350亿美元，产品从HBM3e - 8Hi向更高带宽的HBM3e - 12Hi升级，产能的提升加速了市场供应，推动DDR5量价齐升。从行业动态来看，SK海力士和台积电已宣布合作开发HBM4，预计2026年投产；三星正在为微软和Meta供应定制化HBM4内存，并建立了HBM4专用生产线；美光也已开始量产HBM3E芯片。
 2026年供需持续紧张，台厂迎来机遇展望2026年，HBM4的量产将增加DDR5的投片需求，进一步加剧供需紧张局面。同时，原厂对DDR3和DDR4的减产效应将更加明显，南亚科、华邦电等中国台湾厂商有望凭借自身优势，在DDR3/DDR4减产的趋势下获得发展机遇。
存储芯片行业正站在新的转折点上，AI需求的爆发和厂商的减产行动，共同推动着行业进入上行周期。未来，随着HBM4和边缘AI市场的发展，存储芯片行业将迎来更多机遇与挑战，我们不妨拭目以待。