SK海力士第六代10纳米制程技术良率突破，即将进入量产阶段

据韩国媒体报道，SK海力士在第六代10纳米等级1c制程技术的DRAM存储器生产上取得了显著进展。近期，该技术的良率达到了约80%，相比2024年下半年的60%有了明显提升，预计即将进入正式量产阶段。
通常情况下，当DRAM存储器的制程技术良率达到80%至90%时，即可进入大规模生产的阶段。这意味着SK海力士的第六代10纳米等级1c制程技术已经接近实现大规模生产所需的水准。
事实上，SK海力士在2024年8月就宣布成功开发出全球首款基于第六代10纳米等级1c制程技术的DDR5 DRAM产品。这一制程节点是基于1b制程技术平台的延伸，不仅提高了生产效率，还在执行速度和性能方面实现了显著改进。除了DDR5之外，SK海力士旗下的LPDDR6、GDDR7等产品也预计将采用这一先进的制程技术。
然而，尽管取得了这些进展，SK海力士的第六代10纳米等级1c制程技术在需求旺盛的HBM（高带宽存储器）领域应用还需时日。市场消息指出，在2025年内量产的HBM4产品原则上仍将采用更为成熟稳定的第五代10纳米等级1b制程技术的DRAM。这是因为新技术在初期可能面临更多的挑战和不确定性，而成熟的技术能够确保产品的稳定性和可靠性。
此次SK海力士在第六代10纳米等级1c制程技术上的突破，标志着公司在高端存储器制造领域的又一次重要进步。随着技术的不断成熟和优化，未来SK海力士有望在更多高性能计算场景中发挥重要作用，包括但不限于人工智能服务器、高性能计算机以及下一代智能手机等领域。
总的来说，SK海力士通过持续的技术创新和研发投入，不断提升其在半导体行业的竞争力。随着良率的提高和量产的临近，公司有望进一步巩固其在全球DRAM市场的领先地位，并为未来的业务增长奠定坚实基础。同时，这也反映了全球半导体行业在追求更高性能和更高效能方面的不懈努力。